UM5K1NTR

UM5K1NTR 产品概述

UM5K1NTR 是一款高性能双 N 沟道场效应管（MOSFET），由 ROHM（罗姆）公司设计和生产，旨在满足广泛的电子设计需求。该器件在逻辑电平控制下表现优异，适用于多种低功耗和高密度的应用场景。其小型表面贴装型封装（SOT-353/UMT5）确保了较小的电路板占用空间，使其成为紧凑型产品的理想选择。

基本规格

UM5K1NTR 的基本参数如下：

• FET 类型：双 N 沟道（共源配置），优化了开关速度和电源效率。
• 漏源电压（Vdss）：最高可承受 30V 的漏源电压，适合多种电源电压范围的应用。
• 电流 - 连续漏极 (Id)：额定电流为 100mA，适合小功率驱动和开关应用。
• 导通电阻 (Rds(on))：最大值为 8Ω，在 10mA，4V 的条件下测量，低导通电阻有助于减少功耗。
• 阈值电压 (Vgs(th))：最大值为 1.5V@100µA，适合多种逻辑电平驱动。
• 输入电容 (Ciss)：最大值为 13pF @5V，良好的输入特性确保了高速开关能力。
• 功率 - 最大值：功率耗散上限为 150mW，满足一般信号处理的功率要求。
• 工作温度：最高出厂测试温度可达 150°C，适合高温环境下的应用。
• 封装类型：配备小型表面贴装封装（SOT-353），实现高效的空间利用率。

应用领域

UM5K1NTR 适用于广泛的应用领域，包括但不限于：

• 消费电子产品：如家用电器、音响设备和智能手机等，目前的电子产品日益追求轻便与多功能性，该产品的紧凑型设计满足了这一需求。
• 工业控制：在自动化设备中用作开关元件，控制电流的流入和流出，确保设备的可靠和高效运行。
• 通信设备：用于信号放大和开关，提升设备的工作效率，降低能耗。
• 汽车电子：在汽车电子系统中用于信号控制与功耗管理，尤其是在 IIoT 及电动汽车等新兴领域中，该产品能够提供稳定的性能。

性能优势

UM5K1NTR 的设计不仅注重高效的电性能，更关注在不同行业应用中的灵活性与适应性。其最大允许的漏源电压和电流值，提供了高度的设计灵活性，而较低的导通电阻和输入电容则有助于提高开关速度并减少功耗，使其在快速切换和低延迟应用中具有显著优势。

此外，其 150°C 的工作温度范围使其能够在苛刻条件下稳定运行，适合高温环境的工业应用。

结论

UM5K1NTR 是一款优秀的双 N 沟道 MOSFET，结合了高性能和高集成度，广泛适用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等多个行业。凭借其高效能及可靠性，UM5K1NTR 能为工程师和设计人员提供理想的解决方案，助力未来创新产品的实现。无论是设计简单的开关电路，还是复杂的信号处理系统，UM5K1NTR 均能提供卓越的性能和可靠性，成为电子设计中不可或缺的关键元件。