通态电流(It (RMS)) (Max) | 8A | 断态电压Vdrm | 600V |
栅极触发电压 | 1.3V | 类型 | 双向可控硅 |
栅极触发电流 | 10mA | 双向可控硅类型 | 逻辑 - 灵敏栅极 |
电压 - 断态 | 600V | 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值) | 8A |
电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值) | 1.3V | 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) | 80A,84A |
电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值) | 10mA | 电流 - 保持 (Ih)(最大值) | 15mA |
配置 | 单路 | 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
供应商器件封装 | DPAK |
产品名称: T810-600B-TR
类型: 双向可控硅 (Thyristor)
品牌: ST (意法半导体)
封装: DPAK (TO-252-3)
T810-600B-TR 是一款高性能双向可控硅,具有广泛的应用潜力,主要用于需要高电流和高电压控制的场合。这款可控硅特别适合电力电子电路中的调光、温控和电机控制等应用场景。作为意法半导体的产品,T810系列以其优异的性价比和高可靠性获得了市场的广泛认可。
T810-600B-TR采用流行的DPAK封装,具有良好的热管理性能和较小的占用空间。表面贴装设计 (SMT) 使得该元件更易于集成在现代电子电路板中,提高整体生产效率。
双向可控硅是一种种能够通过栅极信号来控制电流导通和关断的半导体器件。通过施加栅极触发电压,可以将可控硅从阻断状态转变为导通状态,并在负载电流流过后,保持导通直到电流下降至保持电流以下。在这一过程中,T810-600B-TR提供了良好的导通和关断特性,适合各种调控场合。
T810-600B-TR 涉及的应用领域包括:
T810-600B-TR 是一款性能优越的双向可控硅,能够满足多种电力电子应用中的需求。其低触发电压、高断态电压及优秀的热性能,确保了其在广泛应用中的优越表现。无论是在工业设备、家电,还是在任何需要精准电流控制的场合,T810-600B-TR 都是一个可靠且高效的选择。