SUP28N15-52-E3
SUP28N15-52-E3参数
| 封装/外壳 | TO-220-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 150V | 安装类型 | 通孔(THT) |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 28A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 52 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 40nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1725pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 3.75W（Ta），120W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
SUP28N15-52-E3手册
SUP28N15-52-E3概述
产品概述：SUP28N15-52-E3
SUP28N15-52-E3 是一款由威世（VISHAY）公司生产的高性能 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），采用 TO-220-3 封装。这款器件的设计旨在满足现代电源管理和开关电路的高效率要求，广泛适用于各种工业和消费电子应用。
主要特点：
高漏源极电压：SUP28N15-52-E3 的漏源极电压（V_DSS）高达 150V，满足许多高压应用场景的需求，如电源转换器、变频器等。
高连续漏极电流：在 25°C 时，该器件的连续漏极电流（I_D）可达到 28A，显示了其在高电流应用中的强大能力。器件的额定电流使其能够处理负载变化较大的电源电路。
卓越的导通电阻：在 10V 的栅源电压（V_GS）下， SUP28N15-52-E3 的最大导通电阻（R_DS(on)）为 52 毫欧，确保在工作时能有效降低功耗，提升整体系统效率。
线性电压特性：该 MOSFET 的栅极阈值电压（V_GS(th)）在 4.5V 时，其静态漏电流为 250µA，允许在低压条件下的可靠开关操作。
高工作温度范围：SUP28N15-52-E3 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，使其适用于极端环境，这对于工业设备和汽车电子产品尤为重要。
低输入电容：在 25V 的直流偏置下，输入电容（C_iss）为 1725pF，配合较高的栅极电荷（Q_g）为 40nC，降低了开关时间，提升了开关频率性能，为高频应用提供了良好的支持。
功率耗散能力：SUP28N15-52-E3 具备 3.75W（环境温度下）和 120W（结温下）的功率耗散能力，使得该器件在高负荷情况下能够有效散热，防止过热导致的功能失效。
便于安装：采用通孔（THT）安装方式和 TO-220AB 封装设计，简化了PCB布局及热管理设计，具有较好的散热性能，便于在各种机械结构中集成。
应用领域：
SUP28N15-52-E3 的设计非常适合用于以下应用领域：
开关电源：由于其高效和低导通电阻，可以在电源转换器中实现高效果率，降低能量损耗。
电动机驱动：在直流电机和步进电机驱动电路中，可作于开关元件使用，提供所需的高电流处理能力，实现平稳的电机速度控制。
电池管理系统：能在电池充电和放电过程中处理高能量流，保障电池的有效使用和寿命。
功率放大器：在高频信号处理中，可利用其快速开关特性和低功耗表现，扩大信号的传输效率。
结论：
SUP28N15-52-E3 是一款高性能、可靠的 N 通道 MOSFET，非常适合各种对高效能、高电流以及高电压环境需求的应用。其卓越的电气特性及广泛的工作温度，使其在现代电气设备中发挥着重要作用。威世（VISHAY）的这一产品将是工程师在设计电源管理解决方案时的理想选择。