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SUM65N20-30-E3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-263（D2Pak）
包装 :
编带
重量 :
1.659g
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.75W；375W 200V 65A 1个N沟道 TO-263
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
7.32按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥7.32
--
100+
￥6.2
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述
SUM65N20-30-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 65A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 30mΩ @ 30A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3.75W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 65A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 30 毫欧 @ 30A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 130nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5100pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 3.75W（Ta），375W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-263（D2Pak） | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
SUM65N20-30-E3手册
SUM65N20-30-E3概述
产品概述：SUM65N20-30-E3 MOSFET
SUM65N20-30-E3 是由威世（Vishay）公司推出的一款高性能N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），其设计目标是满足在苛刻电气和温度条件下的高效能与可靠性。该部件具有以下基本参数，提供了200V的漏源电压（Vdss）和65A的连续漏极电流（Id），适合用于诸如电源管理、逆变器及开关电源等多种工业和消费类电子产品中的高压、高电流应用。
1. 主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 最高可承受200V的漏源电压，使其能够应用于高电压工作环境，有效防止电气击穿，保证电路的稳定运行。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，SUM65N20-30-E3能够支持高达65A的漏极电流，这使得其能够在需要大电流的电源应用中表现出色。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 该MOSFET的阈值电压为4V @ 250µA，提供优化的驱动特性，保证在合适的栅电压下实现迅速的开关操作。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 在10V栅电压下，导通电阻为30mΩ @ 30A，极低的导通电阻减少了开关损耗和热损耗，提高了电源转换的效率。
- 功率耗散能力: 该器件在环境温度为25°C时的最大功率耗散可达3.75W，而在结温条件下（Tc），最大功率耗散能力则高达375W，显示了其在高功率应用中的良好热管理性能。
2. 工作环境及应用
SUM65N20-30-E3的工作温度范围广泛，从-55°C到175°C，适合在极端温度条件下稳定运行。这一特性使其广泛应用于汽车、工业控制、可再生能源及高温环境下的电子设备。其封装类型为TO-263（D2Pak），具有较好的散热性能和紧凑的尺寸，适合表面贴装（SMD）技术，便于自动化生产。
3. 关键特性
- 高开关效率: MOSFET在开关操作时表现出极低的开关损耗，配合130nC的栅电荷（Qg），使器件在高频应用中具有出色的开关性能。
- 高耐压特性: 200V的漏源电压以及±20V的最大栅源电压（Vgs），为用户创造了足够的设计裕度，以处理电源电路中的瞬态脉冲和过压情况。
- 开发友好: 除主要电气特性外，该器件还提供详细的参数数据支持，使得工程师在电路设计时能做出精确而有效的选择。
4. 市场应用
SUM65N20-30-E3特别适用于需要高效率和高集成度的开关电源、DC-DC转换器、电机控制、逆变器等多种应用场景。汽车电子、工业自动化、可再生能源管理等领域的设计工程师可充分利用其优越的性能来改善系统的能效和可靠性。
结论
总之，SUM65N20-30-E3 MOSFET凭借其优良的电气特性、高功率处理能力和广泛的工作温度范围，成为设计现代高效能电源解决方案的理想选择。无论是个人消费电子还是工业应用，SUM65N20-30-E3都能够提供出色的性能，满足日益增长的高性能电子设备对高能效和高密度集成的需求。