SUD50P10-43L-E3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-252，（D-Pak）
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 8.3W；136W 100V 37.1A 1个P沟道 TO-252
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
7.73按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥7.73
--
100+
￥6.44
--
1000+
￥5.85
--
2000+
￥5.42
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20000+
产品参数
产品手册
产品概述
SUD50P10-43L-E3参数
| FET配置（电路类型） | P沟道 | 漏源击穿电压V(BR)dss | 100V |
| 漏极电流（Id, 连续） | 37.1A（Tc） | 导通电阻 Rds（on） | 43毫欧 |
| 阈值电压Vgs(th) | 3V@250µA | 最大耗散功率 | 8.3W |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 37.1A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 43 毫欧 @ 9.2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 160nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4600pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 8.3W（Ta），136W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
SUD50P10-43L-E3手册
SUD50P10-43L-E3概述
SUD50P10-43L-E3 产品概述
SUD50P10-43L-E3是一款由威世（VISHAY）公司生产的高性能P沟道MOSFET，具有广泛的应用场景，特别适合用于功率管理及开关应用。凭借其优异的电气性能和苛刻的环境适应能力，SUD50P10-43L-E3被广泛用于工业设备、电源转换、汽车电子及其他需要高效功率调节的领域。
技术规格
- FET配置（电路类型）：P沟道
- 漏源击穿电压（V(BR)DSS）：100V
- 最大漏极电流（Id, 连续）：37.1A（在Tc条件下）
- 导通电阻（RDS(on)）：43毫欧
- 阈值电压（VGS(th)）：3V @ 250µA
- 最大耗散功率：8.3W（环境温度）; 136W（晶体管结温）
- 封装类型：TO-252（D-Pak），适合表面贴装
- 工作温度范围：-55°C至175°C（结温TJ）
性能特点
高效能：SUD50P10-43L-E3在不同的条件下表现出较低的导通电阻（RDS(on)仅为43毫欧），这有助于减少功率损耗，提高效率。这使其成为在要求节能和发热量低的应用场合的理想选择。
宽电压范围：该器件的漏源击穿电压高达100V，这为其在高电压应用中的使用提供了安全边界，适合采用高压电源或对电压敏感的电路设计。
优越的热管理：在结温（Tc）达到136W的条件下，SUD50P10-43L-E3表现出良好的热管理能力，使其能在严苛的工作环境中稳定运行，降低了因过热导致的故障风险。
快速开关特性：该MOSFET的栅极电荷（Qg）最大值为160nC @ 10V，有助于实现快速开关切换，这对于自适应负载和高频率应用至关重要。
应用领域
由于其优异的性能，SUD50P10-43L-E3被广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理：在DC-DC转换器中作为开关管，优化能量转移并提高系统整体效率。
- 电机控制：在电机驱动电路中作为开关组件，实现对电机供电的精确控制。
- 汽车电子：适合用于汽车的电源分配和电动助力转向等应用，可以在高温环境下可靠运行。
- 工业设备：在要求油温或水温较高的环境中表现良好，如电动工具、电池充电器和工业自动化设备。
结论
SUD50P10-43L-E3不仅是一款性能强大的P沟道MOSFET，其各项技术参数显示了良好的超高效能与可靠性。凭借其宽广的工作温度范围和高额的耐压能力，使其在电源管理和其他高功率应用中成为可靠的选择。无论是在设计新产品，还是在现有应用中进行性能提升，威世的SUD50P10-43L-E3都提供了极大的灵活性和可持续的解决方案。选择该产品，可以助力您的项目在市场上获得成功。