SUD40N10-25-E3
SUD40N10-25-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 40A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 25mΩ @ 40A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 136W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 40A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 60nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2400pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 3W（Ta），136W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
SUD40N10-25-E3手册
SUD40N10-25-E3概述
SUD40N10-25-E3 产品概述
SUD40N10-25-E3 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由威世（VISHAY）制造，广泛应用于电源管理、开关电路和其他高效能电子装置。该元器件的设计旨在满足现代电子应用对高电压、高电流和高效率的严苛要求。
主要参数
漏源电压（Vdss）: 该 MOSFET 的漏源电压额定值为 100V，使其适合于许多需要较高电压操作的应用场景。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，SUD40N10-25-E3 的最大连续漏极电流可达到 40A（Tc），充分体现了该元件的高负载能力。
栅源极阈值电压: SUD40N10-25-E3 的栅源极阈值电压为 3V @ 250µA，表明元件在较低的栅极驱动电压下就能够达到导通状态，适合低电压驱动的场合。
漏源导通电阻: 在 10V 的栅极驱动电压下，漏源导通电阻（Rds(on)）为 25mΩ @ 40A，显示出其在工作时的出色低损耗性能，大大降低了功耗。
功率耗散: 该器件的最大功率耗散能力为 136W（在TC环境温度下），以及 3W（在TA环境温度下），确保其在高功率应用中的稳定性与可靠性。
工作温度范围: SUD40N10-25-E3 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，能够在极端环境下正常工作，使其成为军事和工业应用的重要选择。
封装形式: 该 MOSFET 采用 TO-252（D-Pak）封装，具备较小的尺寸和优良的散热能力，非常适合于表面贴装技术（SMT），提高了设备的设计灵活性。
应用场景
SUD40N10-25-E3 被广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 电源转换器: 用于开关电源（SMPS）和DC-DC转换器，提供高效能的能量转换。
- 电动汽车: 在电动汽车的电力电子系统中，用于电机驱动和能量管理。
- 通信设备: 在基站及其他通信设备中，作为开关元器件，管理信号的传输及转换。
- 工业自动化: 在可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等工业设备中，实现高效控制。
结论
SUD40N10-25-E3 是一款高效率、低功耗和高电压耐受能力的 N 通道 MOSFET，凭借其优异的电气性能和可靠性，满足了现代电子设计的多种需求。无论是在电源管理、工业控制还是汽车电子领域，这款 MOSFET 都能提供极佳的性能表现，为设计师提供了一个绝佳的选择。其稳定的工作条件、优异的散热能力以及适应广泛环境的设计，使其在市场上得到了广泛的认可和应用。