SUD09P10-195-GE3
SUD09P10-195-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 8.8A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 195mΩ @ 3.6A,10 |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 32.1W(Tc) | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.8A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 195 毫欧 @ 3.6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 34.8nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1055pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），32.1W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
SUD09P10-195-GE3手册
SUD09P10-195-GE3概述
SUD09P10-195-GE3 产品概述
一、产品简介
SUD09P10-195-GE3 是一款高性能 P 沟道 MOSFET，由国际知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产。该器件以其出色的电气性能和广泛的应用场景，为电子设计工程师提供了可靠的解决方案。其典型参数包括漏源电压（Vdss）为 100V，连续漏极电流（Id）在 25°C 时可达到 8.8A。这些特性使得 SUD09P10-195-GE3 特别适合用于电源管理、马达驱动和其他高电流应用领域。
二、技术参数
漏源电压（Vdss）: 100V
- 该值表示器件能够承受的最大电压，适用于高压供电系统。
连续漏极电流（Id）: 8.8A（Tc）
- 表示在特定临界条件下，器件能够支持的稳定电流。
栅源阈值电压（Vgs(th)）: 2.5V @ 250µA
- 此参数定义了驱动器件所需的最小栅源电压，确保器件正常开启。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 195mΩ @ 3.6A，Vgs=10V
- 低的导通电阻有助于降低在正常工作条件下的功率损耗，从而提高能效。
最大功率耗散:
- 在 Ta=25°C 时为 2.5W，而在 Tc 条件下可达 32.1W，这使得该元器件适合多种工作环境。
驱动电压: 4.5V，10V
- 表示器件在此电压下表现最佳，有助于确保高效开关。
栅极电荷（Qg）: 34.8nC @ 10V
- 更高的电荷意味着在高频开关时的驱动功耗更低，适合于快速开关应用。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 广泛的温度范围使其适用于汽车、航天等对于工作环境要求严格的行业。
封装形式: TO-252（D-Pak）
- 表面贴装型封装设计，适合自动化贴装，节约空间并提高散热性能。
三、应用领域
SUD09P10-195-GE3 产品广泛应用于以下几个领域：
电源管理: 包括开关电源、DC-DC 转换器以及稳压电源，帮助提高电源的能效和可靠性。
马达驱动: 在电机驱动应用中，MOSFET的快速开关时间和低导通损耗能够有效提升系统的整体效率。
汽车电子: 在现代汽车中，P 沟道 MOSFET 常用于电源分配和电机控制，因为它们在高电压和高电流条件下也能稳定工作。
充电系统: 适合于电动汽车和高性能锂电池充电器中的功率开关。
四、总结
SUD09P10-195-GE3 是一款性能优越的 P 沟道 MOSFET，凭借其可靠的电气特性和稳定的工作能力，在多个应用场景中表现出色。无论是在高压电源、马达控制还是其他具有高功率要求的场合，该 MOSFET 都能够提供极高的控制精度与能效，为电子产品的高效运行提供良好的保障。选用 SUD09P10-195-GE3，可以为您的设计带来更为合理的解决方案，进而加速产品的开发与市场推广。