STW8NK80Z
STW8NK80Z参数
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6.2A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 1.5Ω @ 3.1A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 140W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.2A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 3.1A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 46nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1320pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW8NK80Z手册
STW8NK80Z概述
STW8NK80Z 产品概述
一、基本信息
STW8NK80Z 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高压 N 沟道 MOSFET（场效应管），其具备高达 800V 的漏源电压（Vdss），允许的连续漏极电流（Id）为 6.2A（在 25°C 时），并且在高温环境下仍能保持良好的性能。这款 MOSFET 设计用于各种高效能的功率转换和控制应用，包括开关电源、逆变器以及电机驱动。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）: 800V
- 该电压等级使得该器件能够在高压环境中稳定工作。
连续漏极电流（Id）: 6.2A（在 25°C 时）
- 这表明在规定的温度下，MOSFET 能以相对较优性能承载的电流值。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4.5V @ 100µA
- 当前电流小于 100µA 时，栅电压达到 4.5V 时开始导通，这对电路设计的控制逻辑非常关键。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 1.5Ω @ 3.1A, 10V
- 该导通电阻值在额定电流下比较低，有助于提高效率，降低功耗。
最大功率耗散: 140W（在 Tc=25°C）
- 能够在高功率条件下正常工作，适合大功率应用。
工作温度范围: -55°C 到 150°C
- 使其在极端温度环境中也能正常工作，适用于恶劣和高要求的条件。
封装类型: TO-247-3
- 该封装形式不仅方便散热，同时也易于安装，适合于通孔安装。
三、应用领域
STW8NK80Z 广泛应用于各种电力电子设备和电源管理半导体产品，例如：
开关电源: 该器件在开关电源中常用作开关元件，以实现高效能的功率转换。
逆变器: 在可再生能源系统，如太阳能逆变器中，该 MOSFET 可用于 DC-AC 转换，有助于提高系统效率。
电机驱动: 在电动机控制领域中，此器件适用于各种电机控制技术，能够提供可靠的控制信号以及强大的驱动能力。
电源适配器: 用于电源适配器中，能够有效管理输入和输出的电压和电流。
四、性能优势
高效能: 低导通电阻（Rds(on)）能够最大化能量转换的效率，减少能量损失。
高压承载: 具备高达 800V 的耐压能力，适合多种高压电力应用。
优越的散热性能: TO-247-3 封装提供良好的散热通道，使其在高负载运行时保持良好工作温度。
宽温工作范围: 可以在-55°C ~ 150°C 的环境中稳定工作，使其适合于严苛的工业或汽车环境。
五、总结
STW8NK80Z 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，具备 800V 的极高耐压能力及 6.2A 的连续电流承载能力，适用于广泛的高效电源转换应用。凭借其卓越的性能特点和可靠性，它在开关电源、逆变器和电动机控制等领域中具有很大的市场潜力。此器件的问世不仅提升了功率电子产品的性能，也为设计工程师提供了更可靠的解决方案。随着对高效能、高可靠电力设备需求的不断增长，STW8NK80Z 将在未来的电子产品中继续发挥其重要作用。