STW4N150
STW4N150参数
| 漏源电压（Vdss） | 1500V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 7Ω @ 2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 160W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7 欧姆 @ 2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 50nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 160W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW4N150手册
STW4N150概述
STW4N150 产品概述
1. 产品简介
STW4N150 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高压 N 沟道 MOSFET，专为要求高电压和高功率应用而设计。其漏源电压（Vdss）高达 1500V，能够承受严苛的电气环境，非常适合于电源管理、高压开关和工业设备等应用。STW4N150 具备优良的导通和开关特性，能够有效地控制漏极电流（Id），其中在 25°C 环境下连续漏极电流可达 4A。
2. 基本参数
STW4N150 的关键参数如下：
- 漏源电压（Vdss）: 1500V
- 连续漏极电流（Id, 25°C 时）: 4A（在结温 Tc 下）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 5V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds On）: 7Ω @ 2A, 10V
- 最大功率耗散（Ta=25°C）: 160W（在结温 Tc 下）
- 工作温度范围: 最高可达 150°C（TJ）
- 封装类型: TO-247-3
3. 技术特性
STW4N150 采用先进的 MOSFET 技术，具备优越的电气性能和稳定性。其导通电阻非常低，能够在 2A 电流下实现仅 7Ω 的 Rds On，这使得其能在大电流和高电压情况下有效地减少功耗。较高的栅极阈值电压（5V）能够保证器件在快速切换时提供良好的导通能力，减少开关损耗。
此外，该产品的栅极电荷（Qg）仅为 50nC @ 10V，意味着其在驱动过程中所需的能量较小，从而能降低驱动电路的功耗。这一特性不仅提高了系统的整体效率，也降低了设计复杂性。
4. 应用场景
STW4N150 适合用于多种高压应用，包括：
- 电源转换器: 凭借其高耐压性能，STW4N150 非常适合于高压 DC-DC 转换器和 AC-DC 电源。
- 电动机驱动: 在工业设备的电动机控制系统中，STW4N150 可被用于高效的开关控制。
- 焊接设备: 由于其耐高压的特性，适用于便携式焊接设备和工业焊接机。
- 照明和其他高压负载: 也适合用于照明控制和其他需要稳定、高效切换的高压应用。
5. 封装与安装
STW4N150 采用 TO-247-3 封装，这种封装设计不仅提供了良好的散热性能，还有助于快速安装。通孔安装类型使其与其他常见元器件兼容，便于集成到各种电路板设计中。
6. 散热与工作环境
在设计使用 STW4N150 时，散热设计是关键。由于其最大功率耗散为 160W，确保适当的散热措施如散热片和气流通道可以帮助器件在高温下安全稳定运行，避免过热影响其性能和寿命。在苛刻的工作环境下，例如高温和高湿度条件下，该 MOSFET 的工作温度高达 150°C，使其在多种工业和 automotive 应用中可靠地工作。
7. 结论
STW4N150 是一款优秀的高压 N 沟道 MOSFET，凭借其高泄漏电压、低导通电阻和较高功率耗散能力，适用于各种现代电子应用。其技术特性和稳定的性能使其成为电源管理和高压开关领域的理想选择。无论是在电源转换、电机驱动还是照明控制应用中，STW4N150 都能提供高效的解决方案，帮助设计师实现更高效的电源管理系统。