STW12NK90Z
STW12NK90Z参数
| 漏源电压（Vdss） | 900V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 11A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 880mΩ @ 5.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 230W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 880 毫欧 @ 5.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 152nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3500pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 230W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW12NK90Z手册
STW12NK90Z概述
STW12NK90Z 产品概述
基本信息
STW12NK90Z 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款 N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计旨在满足高电压和高电流应用的需求。该器件具有优越的性能参数，使其适用于各种电源管理、开关和逆变应用。
关键参数
漏源电压（Vdss）: 900V
- 这一参数表明该 MOSFET 能够承受最高 900V 的漏源电压，适合用于高压环境。
连续漏极电流（Id）: 11A (25°C 时)
- 在标准环境温度（25°C）下，STW12NK90Z 能够提供高达 11A 的持续电流，这意味着它适合用于需要高电流管理的应用。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4.5V @ 100µA
- 该 MOSFET 的开通电压为 4.5V，这使得其在低电压驱动下也能够快速导通与关断。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 880mΩ @ 5.5A, 10V
- 高效的导通特性使得其在应用中能够减少功耗，提高热效率。
最大功率耗散: 230W (Tc)
- 该参数表明该 MOSFET 能够在 25°C 的环境下承受高达 230W 的功率，适合用于高功率应用。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- STW12NK90Z 具备宽广的工作温度范围，适合于恶劣环境及高温应用场合。
封装与安装
STW12NK90Z 使用 TO-247-3 封装，该封装设计不仅方便了散热，还便于通孔安装。这使得该器件在各种电路板设计中都具有良好的适应性，满足了不同应用的需求。
性能特点
高效能: 该 MOSFET 的导通电阻在数据中显示为 880mΩ，在高电流操作下表现出良好的低损耗特性，显著提升了能源的利用效率。
快速开关特性: 栅极电荷（Qg）为 152nC，这意味着 MOSFET 响应迅速，可在高频率开关应用中高效工作。此外，Vgs 的最大偏压为 ±30V，使得设计者在驱动电路时能灵活选择。
可靠性与耐用性: 该 MOSFET 的宽工作温度范围和高功率耗散能力使其在各种工业环境中都能稳定工作，且极大提升了设备的整体可靠性。
应用领域
STW12NK90Z 特别适合用于以下应用：
- 电源转换器: 在开关电源（SMPS）和逆变器中，由于其较高的截止电压和低的导通电阻，使其成为理想选择。
- 电动机驱动: 可用于电机控制和驱动电路中，以实现高效的电能转化与控制。
- 工业自动化: 由于其高耐压和高电流能力，适合用于工业控制系统和自动化设备。
- 电力供应系统: 也广泛应用于UPS系统和其他高能量电源管理设备中。
总结
STW12NK90Z 作为一款高压、高效率的 N沟道 MOSFET，其优异的电气性能与广泛的应用范围使其成为许多电力电子设计中不可或缺的元件。无论是在消费电子、工业设备还是电力管理系统中，STW12NK90Z 都展现出了其卓越的性能和可靠性，为设计工程师提供了更大的设计灵活性与性能保证。