直流反向耐压(Vr) | 650V | 平均整流电流(Io) | 6A |
正向压降(Vf) | 1.75V @ 6A | 二极管类型 | 碳化硅肖特基 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 650V | 电流 - 平均整流 (Io) | 6A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.75V @ 6A | 速度 | 无恢复时间 > 500mA(Io) |
反向恢复时间 (trr) | 0ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 60µA @ 650V |
不同 Vr、F 时电容 | 300pF @ 0V,1MHz | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-2 | 供应商器件封装 | TO-220AC |
工作温度 - 结 | -40°C ~ 175°C |
STPSC6H065D 是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能碳化硅(SiC)肖特基二极管,具有650V的直流反向耐压和6A的平均整流电流。该器件因其出色的热特性与高效率,广泛应用于电源管理、电动汽车、高速开关电源及其它要求严格的电力转换领域。
耐压与整流电流:
正向压降:
快速开关特性:
反向泄漏电流与电容:
工作温度范围:
STPSC6H065D 元件采用通孔封装(TO-220AC),这种封装形式易于散热,便于安装于电路板中,并能够承受较高的温度与功率。此外,TO-220AC 封装的设计也使得二极管在PCB设计中具有良好的适应性。
STPSC6H065D 的特性使其在多个领域具有广泛的应用:
STPSC6H065D 碳化硅肖特基二极管,以其突出的性能指标与广泛适应性,是现代电源管理系统的重要组成部分。凭借其650V的耐压能力、6A的整流电流以及低正向压降,它为电源设计工程师提供了优质的解决方案,能够满足现代高效能电力应用的需求。无论是在电动汽车、开关电源还是电力转换器中,STPSC6H065D均展现了其卓越的价值与可靠性,是值得信赖的选择。