STP7NK80Z
STP7NK80Z参数
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5.2A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 1.8Ω @ 2.6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 30W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.2A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.8 欧姆 @ 2.6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 56nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1138pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP7NK80Z手册
STP7NK80Z概述
产品概述：STP7NK80Z N沟道MOSFET
一、基本介绍
STP7NK80Z是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道MOSFET，采用TO-220AB封装。这款MOSFET的设计专注于高电压和高功率应用，提供优越的电气性能，广泛应用于电源转换、马达控制和工业自动化等领域。其关键参数包括漏源电压（Vdss）为800V，连续漏极电流（Id）为5.2A（在25°C时），以及最大功率耗散能力高达125W（在Tc条件下）。
二、主要性能参数
漏源电压（Vdss）： STP7NK80Z的漏源电压高达800V，使其在高压应用场合具有卓越的性能，能够处理较大的电压波动。
连续漏极电流（Id）： 在25°C环境下，该器件的连续漏极电流达到5.2A（在接线端温度Tc条件下），这使得其在处理高电流负载时相当可靠。
导通电阻（Rds(on)）： 本器件具有较低的漏源导通电阻为1.8Ω（在2.6A和10V条件下），这有助于减小能量损耗，提高能效。
最大功率耗散： STP7NK80Z的最大功率耗散为125W（在Tc条件下），体现了其在高功率应用中的稳定性和可靠性。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 该器件的栅源极阈值电压为4.5V（在100µA条件下），这意味着能够在较低的门电压下轻松开启，提高了其驱动的灵活性。
工作温度范围： STP7NK80Z可在-55°C到150°C的广泛温度范围内工作，保证了其在苛刻环境条件下的稳定表现。
封装与布局： 使用TO-220AB封装，便于通孔安装，适合多种PCB设计方案，尤其是在需要散热器散热的应用场合。
三、应用领域
由于其高电压和高电流的能力，STP7NK80Z在多个领域都是优选元件，主要包括但不限于：
- 电源转换设备：用于开关电源、电源适配器等，帮助实现高效的电能转换及管理。
- 马达控制：在电动机驱动电路中发挥作用，提供稳定的电流控制，确保电动机可靠运行。
- 工业自动化：在工厂自动化设备中作为开关元件，具备快速开关响应和高可靠性。
- LED驱动电源：在LED照明系统中，配合驱动电路使用，提供稳定的电流并提高工作效率。
四、总结
STP7NK80Z N沟道MOSFET是一款性能卓越的高电压、低电阻器件，适合在高功率和高频率应用中使用。凭借其可靠的电气性能、广泛的工作温度范围以及灵活的封装选择，STP7NK80Z成为电源管理、马达控制及工业应用中不可或缺的组件。无论是设计新系统还是更新升级现有电路，STP7NK80Z都能提供出色的性能支持，助力工程师实现更高效的设计和运行。