STP6NK90ZFP
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220FP
包装 :
管装
重量 :
2.1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 30W 900V 5.8A 1个N沟道 TO-220FPAB-3
库存 :
1218(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
6.88按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.88
--
100+
￥5.5
--
1000+
￥5.1
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP6NK90ZFP参数
| 漏源电压（Vdss） | 900V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5.8A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 2Ω @ 2.9A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 30W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.8A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 2.9A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 60.5nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1350pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STP6NK90ZFP手册
STP6NK90ZFP概述
STP6NK90ZFP 产品概述
STP6NK90ZFP 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能 N 沟道 MOSFET。这款器件被广泛应用于高压和高效能的开关控制、功率转换、以及其他电子电路中，其卓越的性能使其在多个工业领域备受青睐。
基本规格
- 漏源电压（Vdss）：900V
- 连续漏极电流（Id，25°C 时）：5.8A（在临界条件下）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：4.5V @ 100µA（表示开始导通所需的最小栅源电压）
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：2Ω @ 2.9A, 10V（在特定电流下的导通电阻值）
- 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W（在额定工作温度下的最大功耗）
电气特性
STP6NK90ZFP 采用先进的 MOSFET 技术，具有优越的导通性能和低导通损耗。其最大泄露电压为900V，这使其即便在高电压环境下仍可安全操作。该器件的连续漏极电流达5.8A，适合用于高电流应用，尤其是在需要优化空间和效率的设计中。
栅极电荷最大值为60.5nC @ 10V，代表该 MOSFET 在开关状态转换时所需的控制信号强度，说明它具有较低的栅极驱动输入需求，适用于高频率的开关操作。此外，其输入电容（Ciss）最大值为1350pF @ 25V，这在高频应用中有助于降低开关损耗，提升整体效率。
温度特性与封装
STP6NK90ZFP 的工作温度范围非常广泛，从 -55°C 到 150°C，保证了其在严酷环境中可靠工作。这为器件在高温、恶劣环境下的应用提供了更大的灵活性。该器件采用 TO-220FP 封装，便于通孔安装，适合散热片以及其他冷却方案的搭配，确保在高功率应用中能够有效保持稳定的工作温度。
应用场景
STP6NK90ZFP 的高电压和低导通电阻使其广泛应用于以下几个领域：
- 电源管理：适用于开关电源、直流-直流变换器和交流电源处理，能够有效提高转换效率。
- 工业控制：可用作电机驱动、快速开关和整流器，提升系统的响应速度和稳定性。
- 汽车电子：在电动汽车和混合动力汽车中，作为控制模块和动力系统中的功率开关，负责电池管理和电力分配。
- 通信设备：在高频信号处理电路中，提供快速开关和精确控制功能，适用于高效能的基站和信号放大器。
- 可再生能源：在太阳能逆变器和风能系统中，负责将直流电转换为交流电，有效提高能量输出。
总结
提供高效能、幵且稳定的工作特性，STP6NK90ZFP 是一款非常理想的 N 沟道 MOSFET，适用于各种高电压应用。其明显的电气性能、宽广的工作温度范围以及易于散热的封装设计，使其在多个行业中赢得了广泛 的应用和认可。无论是新产品开发还是系统优化，STP6NK90ZFP 都能成为工程师进行电路设计和改进的得力助手。