STP6NK60Z
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
2.765g
描述 :
场效应管(MOSFET) 110W 600V 6A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.34按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.34
--
50+
￥2.58
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP6NK60Z参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 1.2Ω @ 3A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 110W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 3A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 46nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 905pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP6NK60Z手册
STP6NK60Z概述
STP6NK60Z 产品概述
概述
STP6NK60Z 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET（场效应管），由意法半导体（STMicroelectronics）制造。它的设计目标是提供卓越的功率处理能力和高效率，适用于各种电源管理和开关应用。STP6NK60Z 具有 600V 的漏源电压、6A 的连续漏极电流及优越的导通电阻特性，满足了广泛的工业和消费电子需求。
关键参数
- 漏源电压 (Vdss): 600V
- 连续漏极电流 (Id): 6A (在 25°C 时)
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4.5V @ 100µA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 1.2Ω @ 3A, 10V
- 最大功率耗散: 110W (在 Tc=25°C 时)
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C
- 封装类型: TO-220
- 栅极电荷 (Qg): 46nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss): 905pF @ 25V
性能特点
高耐压能力：STP6NK60Z 的 600V 漏源电压使其适用于高压电源的应用，能够在高电压环境中稳定工作。
卓越导通性能：在 3A 的工作电流下，导通电阻仅为 1.2Ω，确保在开关操作中低功耗损失和高效率，适合高频开关模式电源（SMPS）和其他高效率需求的场合。
宽工作温度范围：该元器件的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，适应各种环境下的应用，特别适合需要可靠性和持久性能的工业用途。
适配各种电压驱动：栅极的最大驱动电压为 ±30V，使其可以与多种控制电路兼容，提供灵活的设计选择。
低栅极电荷：低栅极电荷 46nC 有助于实现快速开关速度，对高频操作特别有利，减少了开关损耗。
应用场景
STP6NK60Z 可广泛应用于以下领域：
- 开关电源：其高耐压和低导通电阻的特性，使得该元件非常适合用作开关电源中的主开关元件。
- 电机驱动：该 MOSFET 可以在电机控制应用中提供高效的开关，改善系统的整体性能。
- 逆变器：在太阳能和电动汽车的逆变器设计中，STP6NK60Z 的高效表现可以提升能量转换效率。
- 功率放大器：可在高频功率放大器中使用，为音频和射频应用提供超高效的功率管理解决方案。
- 高压 LED 驱动：该器件同样适用于高压 LED 驱动电路，确保稳定和高效工作的同时减少功耗。
封装与安装
STP6NK60Z 采用 TO-220AB 封装，具有良好的散热性能，方便在 PCB 板上进行通孔安装，非常适合于需要良好热管理的高功率应用中。
总结
STP6NK60Z 是一款集高压耐受、低导通阻抗及优异热性能于一体的 N 沟道 MOSFET，适合多种高效率电源及开关应用。凭借其出色的性能和广泛的适用性，使其成为设计工程师在电源管理和电动设备领域的优选元器件之一。无论在工业、通信还是消费电子产品中，STP6NK60Z 都能提供卓越的解决方案，助力现代电子系统的高效运作。