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STP6N120K3
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220
包装 :
管装
重量 :
2.8g
描述 :
场效应管(MOSFET) 150W 1.2kV 6A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
17.64按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥17.64
--
100+
￥15.75
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP6N120K3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.4 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 34nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1050pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP6N120K3手册
无数据
STP6N120K3概述
STP6N120K3 产品概述
一、概述
STP6N120K3 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该器件的设计目标是满足高压、高功率应用的要求，具有出色的电气特性和热性能，广泛适用于电源管理、开关电源、逆变器以及各种工业应用中。
二、技术参数
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）: 1200V
- 连续漏极电流（Id）: 6A @ 25°C（散热条件下）
- 导通电阻（Rds(on)）: 最大值2.4Ω @ 2.5A、10V
- 门源阈值电压（Vgs(th)）: 最大值5V @ 100µA
- 栅极电荷（Qg）: 最大值34nC @ 10V
- 栅源电压（Vgs）最大值: ±30V
- 输入电容（Ciss）: 最大值1050pF @ 100V
- 功率耗散: 最大值150W（在 Tc 条件下）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型: 通孔
- 封装: TO-220
三、应用领域
STP6N120K3 的广泛应用包括但不限于以下几个方面：
- 电源管理: 在开关电源电路中充当主开关器件，可以实现高效的电能转换及管理。
- DC-DC 变换器: 该 MOSFET 的高压和高电流特性使其非常适用于 DC-DC 变换器，能够满足不同负载需求的电流输出。
- 逆变器: 特别在太阳能和风能逆变器中，MOSFET 的高压特性确保了逆变器在高电压下的稳定运行。
- 工业控制: 在各种工业机器和设备的驱动和控制电路中，STP6N120K3 可以作为开关器件，实现高功率控制。
- 汽车电子: 随着电动车和混合动力车的快速发展，该 MOSFET 在汽车电子电源管理模块中起着至关重要的作用。
四、性能特点
- 高电压能力: STP6N120K3 设计用于承受高达 1200V 的漏源电压，确保在高压环境下提供可靠的性能。
- 低导通电阻: 2.4Ω 的最大导通电阻在释放能量时的损耗较小，提高了整体系统的能效。
- 高功率处理能力: 150W 的最大功率耗散使该器件能够在极端条件下持续工作，提高了整个系统的稳定性。
- 宽工作温度范围: -55°C 至 150°C 的工作温度范围确保了其在各种恶劣环境下的可靠性和长寿命。
- 易于散热: TO-220 封装设计使其便于散热，确保 MOSFET 在高功率条件下的有效散热。
五、结论
STP6N120K3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，凭借其卓越的电气特性、宽广的应用场景和高效的散热设计，适用于要求严格的电源管理及工业应用领域。无论是开关电源、变换器还是逆变器，该器件都能提供极致的可靠性和性能表现。作为意法半导体的代表性产品之一，STP6N120K3 体现了现代电子产品对高压及高功率解决方案的需求，是电子工程师设计高效电路的理想选择。