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STP3NK80Z
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 70W 800V 2.5A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.36按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.36
--
100+
￥2.69
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP3NK80Z参数
| 封装/外壳 | TO-220-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 800V | 栅源电压 Vgss | ±30V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 800V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 欧姆 @ 1.25A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 485pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 70W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-220AB |
STP3NK80Z手册
STP3NK80Z概述
STP3NK80Z 产品概述
概述
STP3NK80Z 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高压 N 通道增强型场效应晶体管（MOSFET），此器件专为高电压应用而设计。它采用 TO-220-3 封装，具有 800V 的漏源极电压（Vdss），非常适合于电源管理、开关电源、逆变器和其他高压设计等多种应用场景。
主要技术参数
封装与类型
- 封装类型：TO-220-3
- 安装类型：通孔焊接（THT）
电气特性
- 漏源极电压（Vdss）：800V
- 栅源极电压（Vgss）：±30V
- 连续漏电流（Id @ 25°C）：2.5A（在结温 Tc 下）
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为 4.5V（在 50µA 条件下）
导通电阻
- 最大导通电阻（Rds On）：4.5Ω @ 1.25A，10V 驱动电压
电流特性
- 功率耗散（最大值）：70W（在 Tc 条件下）
- 工作温度范围：-55°C 到 150°C（结温 TJ）
电容特性
- 输入电容（Ciss）：485pF @ 25V
- 栅极电荷（Qg）：最大值为 19nC @ 10V
应用场景
STP3NK80Z 由于其高电压、高功率特性，适用于众多应用领域，例如：
- 开关电源：可以用于AC-DC转换，提供稳定的电压和电流输出，同时实现高效节能。
- 电动机驱动器：能够承受高压和大电流，适合用于电动机驱动和控制系统。
- 逆变器：在可再生能源系统（如太阳能和风能）中作为电流转换器，优化电源效率。
- 工业控制：用于各种工业设备中，以实现安全可靠的开关控制。
性能优势
高效率：STP3NK80Z 的低导通电阻特性使其在开关操作期间能有效减少能量损耗，提高整体系统效率。
耐高压：该 MOSFET 的 800V 耐压能力使其能够在高电压应用中保持稳定操作，减少组件损坏风险。
广泛的工作温度范围：适合于各种恶劣环境，确保在极端条件下仍能可靠运行。
简单的驱动需求：由于其较低的栅极电荷，驱动电路设计相对简单，为系统集成提供了便利。
结论
总体而言，STP3NK80Z 是一款极具竞争力的 N 通道 MOSFET，适合各种高电压、高功率的电子设备应用。凭借其优良的电气性能、广泛的应用领域以及一流的可靠性，STP3NK80Z 在电子行业中的重要性不容忽视，是设计高效能电源解决方案的理想选择。