STP2NK60Z
STP2NK60Z参数
| 封装/外壳 | TO-220-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 600V | 安装类型 | 通孔(THT) |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 欧姆 @ 700mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 170pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
STP2NK60Z手册
STP2NK60Z概述
STP2NK60Z 产品概述
概述
STP2NK60Z 是一款来自意法半导体（STMicroelectronics）公司的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有高压和高功率处理能力。这款器件采用 TO-220-3 封装，适用于各种高效能的电源管理应用、开关电源、直流-直流转换器以及其他需要快速开关响应的电路。该器件在业界广泛应用，以其卓越的性能和稳定的工作温度范围受到工程师的青睐。
主要特点
高漏源极电压（Vdss）： STP2NK60Z 可承受的漏源电压高达 600V，使其在高压应用中更加适用。这一特点使得器件非常适合用于需要处理高电压电源的电路设计。
持续电流能力（Id）： 在 25°C 的环境下，STP2NK60Z 的连续漏极电流（Id）为 1.4A（Tc），提供了良好的电流承受能力，适用于中等规模的电力驱动。
低导通电阻（Rds On）： 在 10V 驱动电压下，器件的最大导通电阻可达 8 欧姆，配合较小的栅极电荷（Qg）限制，显著降低了功耗，提高了转化效率。
栅极阈值电压（Vgs(th)）： STP2NK60Z 的栅极阈值电压最大值为 4.5V（@ 50µA），使其适合使用较低的控制信号电压来驱动，从而简化了驱动电路的设计。
卓越的热性能： 该器件的功率耗散最大值可达 45W（Tc），并且工作温度范围广泛（-55°C ~ 150°C），这使得它在极端环境下依然能够稳定工作，特别适合自动化和工业设备。
优良的输入电容（Ciss）： 在 25V 偏置下，输入电容（Ciss）最大值为 170pF，这有助于减少开关过程中的能量损耗，提升开关频率，满足高频应用的需求。
应用场景
STP2NK60Z 在多个领域均有广泛应用，包括但不限于：
- 开关电源：利用其高效的开关特性，适用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
- 电机驱动：可以作为功率开关应用于直流电机驱动电路，尤其是对电流和温度敏感的应用。
- 高频开关电路：由于具备较低的导通电阻和较小的栅极电荷，该 MOSFET 可以在高频工作条件下表现出色。
- 工业控制：在自动化和控制系统中，可以控制高电压和高电流负载，提升系统的效率和可靠性。
封装与安装
STP2NK60Z 采用 TO-220-3 封装，配合通孔安装方式，便于在PCB板上实施高功率配置。TO-220 封装的设计还允许有效的散热，为高功率应用提供了良好的散热解决方案，这一点对于稳定性和可靠性至关重要。
总结
综上所述，STP2NK60Z 是一款在高压和高功率应用领域中表现卓越的 N 沟道 MOSFET。凭借其高电压能力、低导通电阻、优秀的热稳定性以及适用的封装方式，STP2NK60Z 为设计师提供了一个可靠而灵活的解决方案，能够满足现代电子产品日益增长的功率需求。无论是在高频开关、开关电源还是电机控制电路中，STP2NK60Z 都是一个值得推荐的选择。