STP20NM50FP
STP20NM50FP参数
| 封装/外壳 | TO-220-3整包 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 550V | 安装类型 | 通孔(THT) |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 550V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 250 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 56nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1480pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
STP20NM50FP手册
STP20NM50FP概述
产品概述：STP20NM50FP MOSFET
一、产品简介
STP20NM50FP是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能N通道MOSFET，专为高电压和中等电流应用而设计。其封装采用TO-220-3整包形式，使其在散热性能和应用灵活性方面具有显著优势。该元件能够承受最高550V的漏源电压（Vds），在25°C条件下提供高达20A的连续漏极电流（Id），并具备高达45W的功率耗散能力，适应多种工业及消费类电子应用。
二、主要规格
- 封装类型：TO-220-3整包
- FET类型：N通道MOSFET
- 漏源电压（Vdss）：550V
- 最大连续漏极电流（Id）：20A（在散热片温度Tc下）
- 最大功率耗散：45W（在Tc下）
- 导通电阻（Rds(on)）：在10A、10V时最大值为250毫欧
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为5V（在250µA下）
- 驱动电压：推荐的驱动电压为10V
- 栅极电荷（Qg）：在10V时最大值为56nC
- 输入电容（Ciss）：最大值1480pF（在25V时）
- 工作温度范围：-65°C ~ 150°C
- 最大栅极-源极电压（Vgs）：±30V
三、产品特点
高电压能力：STP20NM50FP的550V漏源电压能力使其非常适合用于高电压应用，包括开关电源、逆变器等。能够承受高电压的特性使其在工业领域广泛应用，确保了电路的稳定性和安全性。
优良的导通性能：其相对较低的导通电阻（最大250毫欧）意味着在额定电流下产生的热量较低，有助于提高功率转换效率。配合大功率耗散能力（最高45W），使其在高功率应用中表现出色。
广泛的应用范围：该MOSFET适用于多个领域，包括但不限于电机驱动、DC-DC转换器、开关电源、逆变器等，这使得其在电子设计中具有高度的通用性。
环保和耐久性：其工作温度范围达到-65°C至150°C，使其在极端工作条件下仍能稳定工作。这为设计师提供了更大的灵活性，以应对各种环境条件。
易于驱动的栅极特性：该器件设计为在10V驱动电压下具有良好的开关特性，降低了驱动电路的复杂度，同时也能在较低的栅电压下实现有效开关，简化电路设计。
四、应用场景
STP20NM50FP广泛应用于以下几个领域：
- 开关电源：由于其高漏源电压和优秀的导通性能，非常适合于开关电源的开关元件。
- DC-DC转换器：在DC-DC转换器中作为开关功率器件，提供高效的功率转换和调节。
- 电机驱动：在电机控制应用中，作为驱动电机的开关元件，提供快速的开关响应和高效的功率输出。
- 逆变器：在逆变器应用中，可处理从直流电源到交流电的转换，适用于太阳能逆变器及其他高功率应用。
五、总结
总体来看，STP20NM50FP是一款通用性强、高性能的N通道MOSFET，具备优良的电气性能与散热能力，适用于多种高压、高功率的电子应用。其设计不仅满足现代电源电子学日益增长的需求，也为工程师提供了更多的设计选择和灵活性。无论是在工业领域还是消费电子等其他领域，这款MOSFET均可以有效满足性能需求，是电源管理设计中的理想选择。