STF9NK90Z
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3 整包
包装 :
管装
重量 :
2.6g
描述 :
场效应管(MOSFET) 40W 900V 8A 1个N沟道 TO-220F-3
库存 :
20(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
5.81按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥5.81
--
100+
￥4.64
--
1000+
￥4.31
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STF9NK90Z参数
| 漏源电压（Vdss） | 900V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 8A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 1.3Ω @ 3.6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 40W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.3 欧姆 @ 3.6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 72nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2115pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 40W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF9NK90Z手册
STF9NK90Z概述
STF9NK90Z 产品概述
产品介绍
STF9NK90Z 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，主要用于高压开关电源、电机驱动和各类功率管理应用。这款 MOSFET 具有高达 900V 的漏源电压能力和 8A 的连续漏极电流（在 25°C 时），在功耗和效率方面表现优异，适合于要求严苛的工业和消费领域。
主要参数
- 漏源电压 (Vdss): 900V
- 连续漏极电流 (Id): 8A (Tc = 25°C)
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4.5V @ 100µA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 1.3Ω @ 3.6A，10V
- 最大功率耗散: 40W (Tc = 25°C)
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 栅极电荷 (Qg): 72nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss): 2115pF @ 25V
封装信息
STF9NK90Z 使用 TO-220-3 （TO-220FP）封装，这种封装形式提供了优良的散热特性，适合在功率应用中使用。通孔安装方式便于 PCB 布局，并保证良好的电气连接。
应用领域
STF9NK90Z 主要应用于以下领域：
- 开关电源: 在高压和高效率需求的开关电源中，MOSFET 可以作为开关元件，高效地控制电源的通断，从而实现稳定及高效的电源转换。
- 电机驱动: 本产品可以用于直流或步进电机的驱动，通过快速开关实现对电机转速和扭矩的有效控制。
- 电源管理: 该 MOSFET 可以用于各种电源管理应用中，如 DC-DC 转换器、高频开关等。
- 工业控制: 在工业自动化领域，STF9NK90Z 可以作为开关元件，控制各类设备的开关状态。
产品优势
- 高耐压: 900V 的漏源电压使得 STF9NK90Z 能够应对许多高压应用而无需额外的保护电路。
- 低导通电阻: 1.3Ω 的低 Rds(on) 值降能够大幅降低导通损耗，提高整个电路的工作效率。
- 高温耐受性: 适宜的工作温度范围 (-55°C 至 150°C) 使其在多种极端环境下均能稳定工作，满足不同应用需求。
- 良好的热性能: TO-220 封装提供了良好的散热能力，使得这个 MOSFET 能够承受更高的功率而不易过热。
总结
STF9NK90Z 作为一款高性能 N 沟道 MOSFET，凭借其 900V 的耐压、8A 的额定电流、出色的导通电阻以及宽广的工作温度范围，成为了电子工程师在高压和高性能应用中的理想选择。无论是在开关电源、工业自动化还是电机驱动领域，STF9NK90Z 都显示出其卓越的性能和可靠性，是电子设计中的一枚重要基础元件。随着可再生能源和智能电网的快速发展，其市场需求仍将在未来继续增长。