STF2HNK60Z
STF2HNK60Z参数
| 封装/外壳 | TO-220-3整包 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 600V | 栅源电压 Vgss | ±30V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.8 欧姆 @ 1A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 280pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 20W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-220FP |
STF2HNK60Z手册
STF2HNK60Z概述
产品概述：STF2HNK60Z
STF2HNK60Z是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-220-3封装。这款器件在设计上主要应用于高压开关、直流电机控制和电源转换系统，尤其适用于要求较高的功率管理和负载切换场景。
主要特点
高漏源极电压: STF2HNK60Z具有600V的漏源极电压（Vdss），这使得它能够在高压环境下稳定工作，适合用于逆变器、变频器和高电压电源应用。
高电流处理能力: 该MOSFET在25°C的条件下，可以处理高达2A的连续漏极电流（Id），适合在多种负载条件下使用。其最大功率耗散可达到20W（Tc），确保了设备在高负载运行时的安全性。
优良的导通电阻性能: 在10V的栅源电压下，STF2HNK60Z的最大导通电阻（Rds(on)）为4.8Ω @ 1A，这在效率要求较高的应用中显得尤为重要。有效的导通电阻能够降低功耗，从而提高整体系统的能效。
适应性强的工作温度范围: 该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C（TJ），使其能够在恶劣环境下稳定工作，增加了系统的可靠性。
快速的开关特性: STF2HNK60Z具有较低的栅极电荷（Qg），最大值为15nC @ 10V，表明其在快速开关应用中表现良好。这种特性使得器件能够在高频率条件下工作，从而适应更多现代电子设备的需求。
良好的输入电容: 在25V的条件下，器件的输入电容（Ciss）为280pF，保证了器件在开关过程中反应迅速，降低了开关损耗，有利于提升整体电路的性能。
应用场景
STF2HNK60ZMOSFET非常适合用于以下几种主要应用场景：
电源管理: 因其高漏源电压和优良的导通特性，该器件常被应用于开关电源与DC-DC变换器中，用于高效率的电能转换。
电机驱动: 在电机驱动控制中，采用该器件可以实现高效的功率切换，提高电机的驱动效率和响应速度，适用于各种工业设备与消费电子产品。
逆变器: 由于其能够承受600V的高压特性，STF2HNK60Z常被应用于逆变器中，用于将直流电转换为交流电，适合太阳能发电等可再生能源系统。
高频开关电路: 该MOSFET的快速响应时间及低导通电阻特性使其适合用于各种高频开关电路的设计，帮助提升系统的工作频率和整体性能。
结论
STF2HNK60Z作为一款高电压、高性能N沟道MOSFET凭借其优良的电气特性和广泛的应用能力，是电子工程师在设计电源管理、电机控制和高频开关电路时的一种理想选择。其优越的工作温度范围和功率处理能力，确保其在各种环境与负载条件下均能稳定运行，满足现代电子设备对高效率和高可靠性的需求。