STD7NS20T4
STD7NS20T4参数
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 200V | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 400 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 45nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 540pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | DPAK |
STD7NS20T4手册
STD7NS20T4概述
产品概述：STD7NS20T4 MOSFET
概念与应用
STD7NS20T4 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能绝缘栅场效应管（MOSFET），其主要设计目的是在中高压电源和开关应用中提供优越的效率和可靠性。这款 N 通道 MOSFET 特别适用于需要高功率处理和高电压控制的场合，如电源管理、马达驱动和 DC-DC 转换器等。
关键规格
封装类型：STD7NS20T4 采用 TO-252-3 封装，通常被称为 DPAK。这种封装形式便于表面贴装（SMT），适合高密度电路设计，提供良好的散热性能和电气接触。
漏源极电压 (Vdss)：最高可承受 200V 的漏源电压，使得该器件能够在许多中压系统中安全稳定的工作。
连续漏极电流 (Id)：在 25°C 的工作环境下，连续漏极电流可达到 7A，这使其在高负载条件下仍能保持良好的工作稳定性。
导通电阻 (Rds on)：在 10V 驱动电压下，Rds(on) 的最大值为 400 毫欧，这有助于降低在导通状态下的功率损耗，提高电路的整体效率。
栅极电荷 (Qg)：在 10V 的驱动电压下，栅极电荷（Qg）最大值为 45nC，确保了快速的开关速度，适合高频率应用。
输入电容 (Ciss)：在 25V 下，Ciss 的最大值为 540pF，有助于降低开关损耗，提高信号传输速率。
功率耗散：该器件可承受最大功率耗散为 45W，适用于高功率应用。
工作温度：工作温度范围为 -55°C 至 150°C（TJ），使其在高温环境下也能稳定工作，适合各种严苛的工业应用。
特性与优势
- 高效能：STD7NS20T4 具备较低的导通电阻以及较高的漏电压，因此在高负载应用中不易产生过多的热量，从而提升整体系统的效率与可靠性。
- 高频率性能：该器件能够实现快速开关，适用于高频 DC-DC 转换器等应用，能够更好地满足现代电子产品对节能和高效的需求。
- 兼容性好：其标准的 DPAK 封装和广泛的电气特性，使得 STD7NS20T4 可以轻松集成到多种电子电路设计中。
应用领域
STD7NS20T4 广泛应用于：
- 电源管理电路
- 电机驱动
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- LED 驱动
- 势能传输装置
总结
STD7NS20T4 代表了意法半导体在 MOSFET 设计中的最新进展，以其高电压能力、低导通电阻以及高效能的特性，使其成为电子设计工程师在高功率应用中的理想选择。无论是在电源管理系统还是在驱动电路中，STD7NS20T4 将不断推动电子设备向更高的性能和更低的功耗发展。