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STD6NK50ZT4
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
DPAK
包装 :
编带
重量 :
0.475g
描述 :
场效应管(MOSFET) 90W 500V 5.6A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.51按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.51
--
100+
￥2.7
--
1250+
￥2.35
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
STD6NK50ZT4参数
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5.6A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 50uA | 漏源导通电阻 | 1.2Ω @ 2.8A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 90W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.6A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 2.8A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 24.6nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 690pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 90W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD6NK50ZT4手册
无数据
STD6NK50ZT4概述
产品概述：STD6NK50ZT4
STD6NK50ZT4 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。其设计旨在满足高功率和高电压应用的需求，主要用于开关电源、逆变器、电机驱动器以及其他要求高效能的电源管理系统。
主要参数
- 漏源电压（Vdss）： 该器件的最大漏源电压为 500V，能够适应高压工作环境，是许多工业应用中的理想选择。
- 连续漏极电流（Id）： 在 25°C 的环境温度下，STD6NK50ZT4 可以承受的连续漏极电流为 5.6A（在额定的工作条件下，必须保持接合点温度 Tc），这使得它在多种负载条件下表现出色。
- 导通电阻（Rds(on）： 漏源导通电阻在 2.8A 和 10V 时为 1.2Ω。这意味着在功率转换过程中为何它能够提供较低的损耗和较高的效率。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th）： 该 MOSFET 的栅极阈值电压为 4.5V @ 50µA，显示出其在开启状态下对栅驱动电压的敏感性，有助于降低栅极驱动的复杂性。
- 输入电容（Ciss）： 输入电容在 25V 时达到 690pF，这为快速开关频率提供了良好的支持，减少了开关损耗。
- 功率耗散： 在室温条件下（Tc=25°C），该器件的最大功率耗散为 90W，允许其在高负载条件下安全工作。
- 工作温度范围： 它的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，使其能够在严苛的环境中运行，适用于广泛的工业应用。
封装与安装
STD6NK50ZT4 采用 DPAK（TO-252-3）表面贴装封装。这种封装形式提供了良好的散热性能，适合高功率应用。DPAK 封装体积小，便于在空间受限的设计中使用，同时能够降低电路板的布线复杂度。
应用领域
STD6NK50ZT4 被广泛应用于以下几个领域：
- 开关电源： 由于其高效能与低导通损耗，这款 MOSFET 适用于各种开关电源设计，包括 AC-DC 转换器和 DC-DC 转换器。
- 电机驱动： 该器件的高漏电流和较低的导通电阻使其成为电机驱动应用中的理想选择，能够降低能量损失，提高系统效率。
- 逆变器： 在太阳能逆变器等应用中，STD6NK50ZT4 的高电压及高流能力确保了系统的稳定运行。
- 电源管理： 适用于各类电源管理电路，它可以作为开关控制器，调节功率流和提升能源利用率。
结论
综合考虑，STD6NK50ZT4 是一款性能优越的 N 沟道 MOSFET，具备高漏源电压、高功率耗散能力和优异的导通性能，非常适合高压、高效能的电源应用。意法半导体凭借其先进的制造工艺和可靠的质量保障，确保了该产品在各种应用场景中脱颖而出。
千挑万选，STD6NK50ZT4 将成为您设计中值得信赖的电源开关解决方案。无论是在工业控制、电力管理还是可再生能源领域，该 MOSFET 都能够提供稳健的性能。