STD6N95K5
STD6N95K5参数
| 漏源电压（Vdss） | 950V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 9A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 1.25Ω @ 3A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 90W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.25 欧姆 @ 3A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 450pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 90W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD6N95K5手册
STD6N95K5概述
STD6N95K5 产品概述
产品描述
STD6N95K5 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，由意法半导体(STMicroelectronics)制造，旨在满足电力电子和开关电源应用中的高效能需求。其漏源电压高达 950V，能够承受严苛的工作条件，广泛应用于电力转换、逆变器、电机驱动等领域。
关键参数
- 漏源电压 (Vdss): 950V
- 连续漏极电流 (Id): 9A（在 25°C 环境温度下，采用适当的散热措施）
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 5V @ 100µA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 1.25Ω @ 3A, 10V
- 最大功率耗散: 90W（在 Tc 条件下可实现）
- 温度范围: 适用于-55°C 至 150°C 的工作环境
封装和安装
STD6N95K5 采用 DPAK 封装 (TO-252-3)，该封装形式有助于提高散热效率，适合表面贴装 (SMD) 技术。这种封装不仅确保了良好的电气性能，而且也便于在自动化装配线上进行批量生产。
电气特性
该 MOSFET 支持高达 ±30V 的栅极电压，使得其可以在大多数驱动电路环境中安全运行。它的栅极电荷 (Qg) 为 13nC @ 10V，意味着在开关操作中，其驱动功耗较低，有助于提升整体电路的效率。
导通特性
在漏源导通状态下，导通电阻较低的特性（Rds(on) = 1.25Ω @ 3A, 10V）使得其在高电流应用中的热量产生最小，这对提升系统的可靠性至关重要。此外，这一特性在连续工作条件下也能有效抑制温升，从而延长器件的使用寿命。
典型应用
STD6N95K5 非常适合于：
- 开关电源(SMPS)
- 电机控制系统
- 逆变器及其驱动电路
- 直流-直流转换器(DC-DC Converters)
- 高压开关及功率调节电路
热性能与散热
其最大功率耗散能力达到 90W，意味着该 MOSFET 能在合理的温度范围内有效工作，为设计工程师提供了高度的灵活性。为了确保卓越的热性能，设计者在电路开发时需考虑适当的热管理解决方案（如散热片、风冷等），以最大化器件的性能和稳定性。
总结
STD6N95K5 是一款兼具高电压、高电流承受能力以及优秀导通特性的 N 沟道 MOSFET，能够在多个工业和消费类电子设备中找到应用。无论是在高效能开关电源或电机驱动系统中，均能够提供出色的性能表现。意法半导体在该器件的设计和制造中注入了创新思维，从而使其能够满足现代电子产品日益严苛的性能和可靠性要求。设计师在选择该器件时，能够获得可靠的解决方案，帮助他们在快速发展的市场中保持竞争优势。