STD3NK90ZT4 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STD3NK90ZT4

商品编码: BM0000285601
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
DPAK
包装 : 
编带
重量 : 
0.475g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 90W 900V 3A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
19.68
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥19.68
--
100+
¥17.9
--
1250+
¥17.38
--
2500+
¥16.95
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

STD3NK90ZT4参数

连续漏极电流(Id)(25°C 时)3A漏源电压(Vdss)900V
栅源极阈值电压4.5V @ 50uA漏源导通电阻4.8Ω @ 1.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)90W类型N沟道
FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.8 欧姆 @ 1.5A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)22.7nC @ 10VVgs(最大值)±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)590pF @ 25V功率耗散(最大值)90W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
供应商器件封装DPAK封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

STD3NK90ZT4手册

STD3NK90ZT4概述

STD3NK90ZT4 产品概述

概述

STD3NK90ZT4 是一种高性能 N 沟道 MOSFET(场效应管),由意法半导体 (STMicroelectronics) 生产。其设计特别适合于各种高压低功耗应用,兼具良好的热稳定性和导通性能。它广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动以及其他需要高效率和高可靠性的电路中。

主要参数

STD3NK90ZT4 的关键性能参数为:

  • 连续漏极电流 (Id): 3A(在 25°C 环境温度下)
  • 漏源电压 (Vds): 900V
  • 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4.5V @ 50µA
  • 漏源导通电阻 (Rds(on)): 最大 4.8Ω @ 1.5A, 10V
  • 最大功率耗散: 90W(在 25°C 环境温度下)
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C
  • 封装类型: DPAK(TO-252-3)

这一系列参数表明,STD3NK90ZT4 具备出色的高压特性和良好的热管理能力,适合于各种工业及家电应用。

应用场景

STD3NK90ZT4 的高耐压特性使其成为理想的选择,适用于以下应用:

  1. 开关电源:在电源转换过程中,MOSFET 的快速开关能力和低导通电阻能够有效提高电源效率。

  2. 逆变器:特别是在太阳能逆变器和电动车辆动力系统中,能够满足高效率转换的需求。

  3. 电机驱动线路:其高电流和电压处理能力使其适用于电机控制领域,确保系统稳定性和可靠性。

  4. 自动化控制系统:在高频开关应用中,快速响应和稳定性是必不可少的,STD3NK90ZT4 可有效满足这一要求。

性能特点

  • 低导通电阻:在额定条件下的低导通电阻(Rds(on) 4.8Ω),能够减少功耗,提高热效率,特别适合于需要长时间连续工作的应用。
  • 高耐压特性:900V 的最大漏源电压,能够安全操作于高压环境,提供更大的设计灵活性。
  • 宽工作温度范围:-55°C 至 150°C 的工作温度范围确保在恶劣环境下的稳定性能,适合于各种工业和军用设备。
  • 易于驱动:最大栅极驱动电压可接受范围在 ±30V 之内,方便与多种控制电路兼容,减少设计复杂性。

封装与散热

STD3NK90ZT4 采用 DPAK(TO-252-3)封装,适合于表面贴装方式。这种封装形式不仅提供了良好的电气特性,同时又具备不错的散热能力,适用于高功率应用。散热性能可以确保在高功耗的情况下,MOSFET 仍能稳定工作,从而提高整个系统的可靠性。

结论

作为一款高性能的 N 沟道 MOSFET,STD3NK90ZT4 在高压应用中表现出色,其低导通电阻、宽工作温度范围以及良好的热性能,都使其在电子设计中成为一个理想的选择。无论是用于现代电源设备还是复杂的电机控制系统,这款 MOSFET 都能够满足高效、可靠的设计需求。为开发者和工程师提供了一个具有高灵活性和高性能的解决方案,适用于多种电子电路设计。