连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 3A | 漏源电压(Vdss) | 900V |
栅源极阈值电压 | 4.5V @ 50uA | 漏源导通电阻 | 4.8Ω @ 1.5A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 90W | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.8 欧姆 @ 1.5A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 22.7nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 590pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 90W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
STD3NK90ZT4 是一种高性能 N 沟道 MOSFET(场效应管),由意法半导体 (STMicroelectronics) 生产。其设计特别适合于各种高压低功耗应用,兼具良好的热稳定性和导通性能。它广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动以及其他需要高效率和高可靠性的电路中。
STD3NK90ZT4 的关键性能参数为:
这一系列参数表明,STD3NK90ZT4 具备出色的高压特性和良好的热管理能力,适合于各种工业及家电应用。
STD3NK90ZT4 的高耐压特性使其成为理想的选择,适用于以下应用:
开关电源:在电源转换过程中,MOSFET 的快速开关能力和低导通电阻能够有效提高电源效率。
逆变器:特别是在太阳能逆变器和电动车辆动力系统中,能够满足高效率转换的需求。
电机驱动线路:其高电流和电压处理能力使其适用于电机控制领域,确保系统稳定性和可靠性。
自动化控制系统:在高频开关应用中,快速响应和稳定性是必不可少的,STD3NK90ZT4 可有效满足这一要求。
STD3NK90ZT4 采用 DPAK(TO-252-3)封装,适合于表面贴装方式。这种封装形式不仅提供了良好的电气特性,同时又具备不错的散热能力,适用于高功率应用。散热性能可以确保在高功耗的情况下,MOSFET 仍能稳定工作,从而提高整个系统的可靠性。
作为一款高性能的 N 沟道 MOSFET,STD3NK90ZT4 在高压应用中表现出色,其低导通电阻、宽工作温度范围以及良好的热性能,都使其在电子设计中成为一个理想的选择。无论是用于现代电源设备还是复杂的电机控制系统,这款 MOSFET 都能够满足高效、可靠的设计需求。为开发者和工程师提供了一个具有高灵活性和高性能的解决方案,适用于多种电子电路设计。