STD2HNK60Z-1
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
包装 :
管装
重量 :
1.3g
描述 :
场效应管(MOSFET) 45W 600V 2A 1个N沟道 TO-251(IPAK)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.4按整 :
管(1管有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.4
--
100+
￥1.92
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750+
￥1.71
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1500+
￥1.62
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18000+
产品参数
产品手册
产品概述
STD2HNK60Z-1参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2A |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 50uA | 漏源导通电阻 | 4.8Ω @ 1A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 45W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.8 欧姆 @ 1A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 280pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | I-PAK | 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
STD2HNK60Z-1手册
STD2HNK60Z-1概述
产品概述：STD2HNK60Z-1 N沟道 MOSFET
一、基本信息
STD2HNK60Z-1是ST（意法半导体）公司推出的一款N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为高电压和中等电流应用设计，能够承载高达600V的漏源电压和2A的连续漏极电流，适用于广泛的功率转换和开关调节电路。这款MOSFET在热管理性能方面表现优良，具备高达45W的最大功率耗散能力，并在-55°C至150°C的广泛工作温度范围内提供可靠的性能。
二、主要参数
- 漏源电压 (Vdss)：最高可达600V，适合高电压应用。
- 连续漏极电流 (Id)：在25°C时可承受2A，适合多种中等功率负载。
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th))：4.5V @ 50µA，为驱动电路设计提供了灵活性。
- 漏源导通电阻 (Rds(on))：最大值为4.8Ω @ 1A，10V，保证了在开关状态下的低能量损耗。
- 最大功率耗散 (Pd)：在25°C的环境温度下，最大为45W，适用于高功率应用需求。
- 栅极电荷 (Qg)：最大限值为15nC @ 10V，优化了开关速度和效率。
- 输入电容 (Ciss)：最大值为280pF @ 25V，提升了高频开关性能。
- 工作温度范围：-55°C至150°C，极大地拓展了应用场景。
三、应用场景
STD2HNK60Z-1适用于多种应用，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）：得益于其高电压和中等电流能力，该MOSFET非常适合用于开关电源的主电路部分，能有效提高电源转换效率。
- 电机驱动：在电机控制器中，该MOSFET可用于驱动各种类型的电机，如直流电机和步进电机。
- 逆变器：适合用于太阳能逆变器、UPS系统等，提供控制和转换功能。
- 自动化设备：在智能家居和工业自动化中，该MOSFET可作为开关元件，提供高效的电源管理。
四、封装与安装
STD2HNK60Z-1采用通孔封装TO-251-3（I-PAK），该封装形式适合于散热和机械强度要求较高的应用。短引线设计不仅有助于降低电感，也便于在PCB上进行安装，方便在紧凑型设计中使用。
五、总结
STD2HNK60Z-1是一款高性能的N沟道MOSFET，凭借其600V的高漏源电压、2A的连续漏极电流、45W的功率耗散能力以及优越的热特性，成为中高压应用中的理想选择。其多样的应用场景包括开关电源、电机驱动及逆变器等，在现代电气和电子设备中具备广泛的市场需求。借助ST的技术积累和生产工艺，STD2HNK60Z-1为设计师提供了一个高效、可靠且经济的解决方案。