STD11NM50N
STD11NM50N参数
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 500V | 栅源电压 Vgss | ±25V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 500V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 470 毫欧 @ 4.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 547pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 70W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | DPAK |
STD11NM50N手册
STD11NM50N概述
STD11NM50N 产品概述
产品背景
STD11NM50N 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能N通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件特别适用于高电压和大电流的应用场景，广泛用于开关电源、电动机驱动、逆变器和其他电力转换设备。凭借其出色的电气性能和热特性，STD11NM50N 在现代电源管理和电气驱动系统中得到了广泛的应用。
关键参数
封装类型: STD11NM50N采用 TO-252-3 / DPAK (2 引线 + 接片) 封装，设计为表面贴装（SMT）形式，便于自动化的焊接和更紧凑的电路设计。
FET 类型: 作为N通道MOSFET，STD11NM50N 提供了高电流和高电压的处理能力，适合用于各种开关应用。
漏源极电压（Vdss）: 此器件的漏源极电压高达500V，使其能在高电压环境中稳定工作，为设计者在电源管理系统中提供了足够的余量。
连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，其最大连续漏极电流达到8.5A（Tc），提供充足的驱动能力。
功率耗散: 该MOSFET的最大功率耗散可达70W（Tc），对于需要高功率和高电流的应用环境尤为关键。
电气特性
最大驱动电压（Vgs）: STD11NM50N 的栅源电压可以高达±25V，能有效控制MOSFET的开关状态，适应多种不同的控制电路。
导通电阻（Rds On）: 在特定条件下（10V，4.5A），器件的导通电阻最大值为470毫欧，证明其在通电状态下的电能损耗相对较低，因此在开关过程中能有效提高系统的能效。
阈值电压（Vgs(th)）: 在250µA电流下，阈值电压的最大值为4V。这一特性使得STD11NM50N 能在较低的控制电压下实现导通，进一步增强了其应用的适应性。
栅极电荷（Qg）: 最大值为19nC @ 10V；这一低栅极电荷特性有助于减少驱动电路的能耗，使得器件在高速开关的应用中表现出色。
输入电容（Ciss）: 在50V下，最大输入电容为547pF，特别是对于高频率应用，有助于提升开关速度及整体效率。
工作环境
STD11NM50N 的工作温度范围可以达到150°C（TJ），这使得该器件能够在较为严苛的环境下稳定工作。通过良好的散热设计，可以充分发挥其优异的性能，适应各种温度变化的应用需求。
应用领域
凭借其卓越的电气特性和可靠性，STD11NM50N 非常适合用于以下应用场景：
- 开关电源：广泛应用于电源转换和调节。
- 电动机驱动：能够高效驱动各种电动机，实现高效能控制和动力输出。
- 逆变器：在可再生能源系统（如太阳能逆变器）和电动交通工具中发挥重要作用。
- 高频开关设备：适应高频率操作，提高整体系统效率。
结论
由STMicroelectronics出品的STD11NM50N MOSFET是高电压、大功率场合的理想选择。其优异的电气性能、热特性及结构设计，使得该器件在多种应用领域表现出色。无论是在电源管理、自动化设备，亦或是电动机控制系统中，STD11NM50N都能为设计师和工程师提供强大的支持和灵活性。