SQJ488EP-T1_GE3

SQJ488EP-T1_GE3 产品概述

1. 产品简介

SQJ488EP-T1_GE3 是一款由 VISHAY（威世）生产的高性能 N 通道 MOSFET。该 MOSFET 采用表面贴装型的 PowerPAK® SO-8 封装，具有卓越的电气特性和高可靠性，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、开关电源以及电机驱动等场合。其优良的导通性能和热管理能力，使其成为现代电子设计中理想的选择。

2. 关键参数

• FET 类型: N 通道 MOSFET
• 漏源电压 (Vdss): 最高可达 100V，适用于高压应用。
• 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 时可承受最大 42A 的电流，确保在负载条件下的稳定性能。
• 驱动电压: 对于最小 Rds(On) 状态，推荐的驱动电压范围为 4.5V 至 10V，提供灵活的工作条件，以适应不同的电路设计需求。

3. 性能参数

SQJ488EP-T1_GE3 的导通电阻（Rds(On)）在一定电流和栅极电压下表现非常优异：

• 在 10V 的栅极电压下，最大导通电阻为 21 毫欧（@ 7.4A），这使得该器件在高电流应用中具有出色的低损耗特性。
• 截止电压（Vgs(th)）最大值为 2.5V（@ 250µA），确保其在低电压应用中也能快速开启。

此外，栅极电荷（Qg）在 10V 时为 27nC，表明其在驱动电路中的响应速度较快，适合高速开关应用。

4. 功率和温度特性

SQJ488EP-T1_GE3 的功率耗散能力高达 83W（Tc），意味着在高功率应用中具有出色的散热特性。同时，工作温度范围为 -55°C 到 175°C，允许其在极端环境条件下可靠工作，适合航天、汽车等苛刻环境下的应用。

5. 封装和尺寸

该 MOSFET 采用 PowerPAK® SO-8 封装，具有更小的占板面积和良好的散热特性，适合高密度的电路设计。其紧凑的封装结构能够在空间有限的应用中有效地集成。

6. 应用场合

SQJ488EP-T1_GE3 适用于多种应用场景，包括但不限于：

• 开关电源（SMPS）
• DC-DC 转换器
• 电机驱动和控制
• 电源管理 IC
• 逆变器和可再生能源（如太阳能）系统

7. 总结

总之，SQJ488EP-T1_GE3 是一款高效、高可靠性的 N 通道 MOSFET，结合了较高的电压承受能力和出色的电流处理能力，适合各种智能电源管理和高效电机驱动应用。其宽广的工作温度范围和高功率耗散能力使其在极端工作条件下仍然能够表现出色。作为 VISHAY 旗下的产品，SQJ488EP-T1_GE3 代表了现代电子元器件的高性能标准，稳定性强，更能满足高精密电子设计的需求。