SQ2398ES-T1_GE3
SQ2398ES-T1_GE3参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 300 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A（Tc） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 152pF @ 50V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.4nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 功率耗散（最大值） | 2W（Tc） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
SQ2398ES-T1_GE3手册
SQ2398ES-T1_GE3概述
产品概述：SQ2398ES-T1_GE3
SQ2398ES-T1_GE3是一款高性能的N沟道场效应管（MOSFET），由著名的电子元器件制造商VISHAY（威世）生产。该器件采用SOT-23-3封装（TO-236），是一种表面贴装型（SMD）设计，适用于空间受限和高密度布线的电子应用。这款MOSFET的功能和性能使其在各类电源管理、开关电路和功率转换等应用中得到广泛应用。
技术参数
SQ2398ES-T1_GE3的关键电气参数包括：
导通电阻（Rds On）：在1.5A、10V条件下，最大导通电阻为300毫欧。这一特性使得电流通过该MOSFET时产生的功耗极低，从而提升整体电路的效率。
连续漏极电流（Id）：该器件在25°C的热循环条件下可以承载高达1.6A的连续漏电流（Id），这使其在多个应用场景下具备灵活性。
漏源电压（Vdss）：SV2398ES-T1_GE3的最大漏源电压为100V，确保其可以在高压环境下稳定工作，进一步扩大了其应用范围。
栅极电压（Vgs）：器件的栅极源电压最大值为±20V，适合需要控制电压较高的应用。
输入电容（Ciss）：该MOSFET在50V条件下的最大输入电容为152pF，确保了高速开关特性，适合高频应用。
栅极电荷（Qg）：在10V下，该MOSFET的栅极电荷最大值为3.4nC，意味着驱动电路的要求相对较低，这使得其在低功耗驱动场景下也能表现出色。
工作温度范围：SQ2398ES-T1_GE3的工作温度范围为-55°C到175°C，适应极端环境条件，是汽车、工业控制等领域的理想选择。
应用领域
SQ2398ES-T1_GE3适合于以下应用：
电源管理：在低功耗和高效率的开关电源中，作为高侧或低侧开关，可实现精确的电流控制和功率转换。
电机驱动：动态电机控制如步进电机、直流电机等领域中，能够有效调节电机的转速和扭矩。
消费电子：在LED驱动、充电器中作为开关元件，能够实现高效的电源转换和控制。
汽车电子：因其宽广的工作温度范围，可以在汽车照明、动力系统中实现高效稳定的电源管理。
信号开关：在数据采集和通信设备中作为开关，能够快速可靠地传输信号。
结论
SQ2398ES-T1_GE3是一款性能强大的N沟道MOSFET，凭借其出色的导通电阻和宽广的电压及温度范围，使其适用于多种工业和消费类电子应用。无论是在电源管理还是在动态电机控制场景中，SQ2398ES-T1_GE3能够提供卓越的效率和可靠性。其稳定的性能和小巧的SOT-23-3封装进一步降低了电路的空间需求，是现代电子设计中的理想选择。选择VISHAY SQ2398ES-T1_GE3，将为您的项目带来高性能及高可靠性的电气解决方案。