SPP11N60C3XKSA1
SPP11N60C3XKSA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 380 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 500µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 60nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1200pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | PG-TO220-3-1 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
SPP11N60C3XKSA1手册
SPP11N60C3XKSA1概述
SPP11N60C3XKSA1 产品概述
一、产品简介
SPP11N60C3XKSA1 是由英飞凌（Infineon）生产的一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），该器件专为高压、高效能的电源管理和开关应用设计。凭借其高达 650V 的漏源电压（Vdss）和 11A 的连续漏极电流，这款 MOSFET 在各种应用场合中均表现出色，尤其适用于开关电源、逆变器和电机驱动器等领域。
二、主要特性
高电压能力
SPP11N60C3XKSA1 具备 650V 的漏源电压，让其适合于高压电源和电气设备的应用，尤其是在需要处理大电压的工业环境中。
高电流承载能力
最大连续漏极电流可达 11A （在特定的结温条件下），使其可以承载较大的负载电流，故而能够满足不同场合对电流的需求。低导通电阻
在 10V 的栅极驱动电压下，导通电阻 Rds(on) 最大值仅为 380 毫欧（@ 7A），有效降低了导通损失，提高了整体电源的效率。宽工作温度范围
该 MOSFET 能够在 -55°C 到 150°C 的广泛温度范围内工作，适应恶劣的工作环境，提供了较高的可靠性。高频开关特性
具备 60nC 的栅极电荷 (Qg) @ 10V，意味着在高频开关应用中，器件可快速响应，提升开关效率。超低漏电流
其阈值电压 (Vgs(th)) 最大值可低至 3.9V @ 500µA，这使得在关断状态下的漏电流微小，有助于降低待机功耗。良好的稳定性与可靠性
SPP11N60C3XKSA1 设计符合严格的电子器件标准，确保其在长期使用情况下的稳定性和可靠性，适合长时间运行的设备。
三、应用领域
由于其卓越的性能和特性，SPP11N60C3XKSA1 广泛应用于诸多领域，通常包括但不限于：
开关电源（SMPS）
主要用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中，承担开关元件的功能，提高能量转换效率。逆变器
在光伏发电、电动汽车和不间断电源系统等逆变器应用中，该 MOSFET 可实现高效的电能转换。电机驱动
用于各种电机控制应用，如伺服电机、步进电机控制，提供稳定的驱动电流。LED 驱动器
适用于 LED 灯驱动电路，实现高效稳流控制，保证LED亮度均匀，延长使用寿命。工业控制与自动化设备
列入自动化装置和恶劣环境下的高可靠性应用，进一步扩展其市场在力电和高频控制。
四、总结
SPP11N60C3XKSA1 作为英飞凌推出的一款 N 通道 MOSFET，凭借其650V的高额定电压和11A的持续电流能力，展现出优越的性能和宽广的应用范围。适合用于多种高效能要求的电源管理和开关应用，展示了它在现代电子产品中的重要地位。其在高工作温度、低导通电阻及高频响应等方面的优越性能，使得此 MOSFET 成为了工程师在设计各类设备时的推荐选择。无论是在消费电子、工业控制还是可再生能源技术中，SPP11N60C3XKSA1 都是值得信赖的电子元器件之一。