SIS443DN-T1-GE3
SIS443DN-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 35A |
| 栅源极阈值电压 | 2.3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 11.7mΩ @ 15A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3.7W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11.7 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 135nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4370pF @ 20V | 功率耗散（最大值） | 3.7W（Ta），52W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
SIS443DN-T1-GE3手册
SIS443DN-T1-GE3概述
产品概述：SIS443DN-T1-GE3
SIS443DN-T1-GE3 是一款来自威世（VISHAY）的高性能 P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该产品专为需要较高电流和较低导通电阻的应用而设计，特别适合用于开关电源、马达驱动、电池管理系统和其它功率控制电路。
主要参数
漏源电压（Vdss）： 该 MOSFET 的最大漏源电压为 40V，使其适合在中等电压的应用中使用，安全边际良好，适合大多数低至中压电路。
连续漏极电流（Id）： 该元件在 25°C 时的最大连续漏极电流为 35A，表明其具备良好的大电流处理能力，适合用于需要大电流的动态负载。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 该元器件在 250µA 时具有 2.3V 的栅源极阈值电压，这意味着该 MOSFET 可以较低的驱动电压即可开始导通，从而提升开关效率。
漏源导通电阻（Rds(on)）： 在 15A 和 10V 驱动电压下，该型号具有仅 11.7毫欧的导通电阻，极大降低了导通损耗并提高了工作效率。
功率耗散： 产品在 25°C 环境下的最大功率耗散为 3.7W，而在更高的结温下，功率耗散可以达到 52W，确保了在高热条件下的可靠运行。
工作温度范围和应用： 该产品的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合用于恶劣环境下的应用，如汽车、工业设备以及航空航天领域。
特点与优势
小型化封装： 使用 PowerPAK® 1212-8 封装，该 MOSFET 不仅占用空间小，而且具备良好的散热能力，适合在紧凑的电路板设计中使用。
高开关效率： 结合低导通电阻与优化的栅极电荷（Qg），该元器件在快速开关操作中表现出色，能够有效减少开关损耗，提升整个系统的能效。
封装稳定性： PowerPAK® 封装设计可提供优秀的耐热和耐机械压力性能，大大提高了元器件在极端条件下的可靠性。
广泛的应用场景： SIS443DN-T1-GE3 可广泛应用于电动汽车（EV）电源控制、消费电子设备、LED 驱动以及储能系统等各种应用。
应用示例
该 MOSFET 的优越性能使其成为多个关键领域的理想选择：
- 电动载具：在电动汽车的驱动电路中，用于控制电动机驱动器，实现高速、高效率的电能传输。
- 电池管理系统：在电池充放电环节中进行精确控制，以延长电池寿命和提升整体安全性。
- 开关电源：通过高频率的开关操作，优化电源转换效率，满足现代电子设备对高能效的强烈需求。
- 工业自动化：在自动化设备中实现高效的功率控制，满足传感器和执行器的需求。
结论
SIS443DN-T1-GE3 MOSFET 以其优异的性能和可靠性，成为许多电子设计中的重要组件。借助其高效能、耐用性以及广泛的适用性，该产品无疑是当前市场上 P沟道 MOSFET 的理想选择，为客户提供充足的设计灵活性和高效能支持。在日益竞争的市场环境中，选择 SIS443DN-T1-GE3，无疑将为您的设计增添竞争优势。