SIR862DP-T1-GE3

SIR862DP-T1-GE3 产品概述

一、产品简介

SIR862DP-T1-GE3 是由 VISHAY（威世半导体）制造的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 PowerPAK® SO-8 表面贴装封装。该器件旨在提供高效率、低导通电阻和优秀的热性能，使其成为应用于各种电子设备中的理想选择，尤其是在电源管理、开关电源以及驱动电路中。

二、技术参数

SIR862DP-T1-GE3 的主要技术参数包括：

• 漏源极电压（Vdss）: 25V
• 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 时可达到 50A
• 导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 驱动电压下的最大值为 2.8毫欧 @ 15A，展现出杰出的导电性能。
• 栅阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为 2.3V @ 250µA，这意味着该器件在较低的驱动电压下便能开启。
• 栅极电荷 (Qg): 最大值为 90nC @ 10V，适合快速开关应用。
• 输入电容 (Ciss): 最大值为 3800pF @ 10V，表明该器件在高频操作中的适应性。
• 功率耗散: 器件的最大功率耗散为 5.2W（环境温度下）和 69W（管壳温度下），确保在高负载下的稳定性。
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C，提供极宽的工作环境适应性。

三、应用领域

SIR862DP-T1-GE3 适用于多种应用，其性能特点使其在以下领域表现出色：

1. 电源管理: 作为开关电源中的功率开关，具备低导通电阻和低功耗特性，能有效提高系统的整体效率。
2. 电机驱动: 适用于无刷直流电机和步进电机的驱动电路，能够在高电流和高频操作下维持稳定性能。
3. 通信设备: 在基站和网络设备中，作为电源控制和信号放大器，能有效管理大电流和安全开关。
4. 汽车电子: 由于其宽广的工作温度范围和高可靠性，适合用于汽车电源及控制系统中。
5. 消费电子产品: 广泛应用于手机充电器、搅拌机、电动工具等设备中。

四、设计优点

• 高效率和低热量: 由于其优异的 Rds(on)，在高电流操作下，该 MOSFET 具有低功耗特性，减少了在使用过程中的热量产生。
• 坚固耐用: 工作温度范围广，确保在极端环境下也能可靠运行，从而提高了产品的使用寿命。
• 简化设计: 由于器件的低栅极驱动电压和快速开关能力，设计者可选用更简化的驱动电路，从而便利了整体设计流程。
• 高集成度: 小尺寸的 SO-8 封装使该 MOSFET 在空间有限的应用中极具灵活性，适合现代小尺寸电子设备的发展趋势。

五、总结

SIR862DP-T1-GE3 是一款高效、耐用且适用范围广的 N 沟道 MOSFET，充分结合了 VISHAY 在半导体领域的深厚技术背景及创新设计优势。无论是在电源管理、汽车电子还是消费电子的各种应用中，均能为设计师提供理想的解决方案。凭借其优越的电气性能和紧凑的封装形式，SIR862DP-T1-GE3 令设备在实现高效能与高可靠性的同时，还能满足用户对空间及性能的双重需求。