SIR464DP-T1-GE3
SIR464DP-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 50A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 3.1mΩ @ 15A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 5.2W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.1 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 95nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3545pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 5.2W（Ta），69W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SIR464DP-T1-GE3手册
SIR464DP-T1-GE3概述
SIR464DP-T1-GE3 产品概述
SIR464DP-T1-GE3是一款高性能的N沟道MOSFET，专为高效能开关和功率管理应用而设计。该器件由著名的电子元器件供应商VISHAY（威世）制造，具有卓越的电气性能和温度适应性，适合广泛的工业和消费电子应用。
核心参数
SIR464DP-T1-GE3的核心参数包括：最大漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）高达50A（在25°C时测量）。这使得该MOSFET在多个应用场景下表现出色，尤其适合高电流驱动的电路设计。漏源导通电阻（Rds(on)）为3.1mΩ，在15A和10V的条件下测得，支持高效率的电源转换和大电流开关操作。此外，该器件的栅源阈值电压（Vgs(th)）为2.5V，确保在较低的栅压下即可有效导通，实现高效的开关控制功能。
热管理与功率耗散
在功率管理方面，SIR464DP-T1-GE3具备强大的散热能力，最大功率耗散（在25°C环境下）为5.2W，而在有效冷却条件下（Tc）可达69W。这使得SIR464DP-T1-GE3在各种应用中能够有效处理大功率条件，减少过热风险，增强系统的可靠性。工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，适应高温和极端环境的应用，确保设备的稳定性和长寿命。
驱动与开关特性
该器件的驱动电压极具灵活性，支持4.5V到10V的控制电压范围，实现了良好的开关性能。在10V条件下，栅极电荷（Qg）最大值为95nC，这说明其高效能的开关速度，能够在快速切换应用中保持低的开关损失。此外，在不同漏源电压（Vds）下，输入电容（Ciss）最大值为3545pF（在15V时测试），这确保其在高频开关应用中的优异性能。
封装与安装
SIR464DP-T1-GE3采用PowerPAK® SO-8封装，专为表面贴装设计，适应现代电子产品的紧凑设计需求。PowerPAK封装不仅节省了PCB空间，还通过其优化的散热设计提高了设备的散热能力，增强了元件在高功率应用中的表现。
应用场景
SIR464DP-T1-GE3广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、马达驱动、照明控制、以及其他高效能的开关电源应用。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为开关电源设计中的理想选择，尤其在需要高效能和低热损耗的场合，表现格外优异。
总结
SIR464DP-T1-GE3作为一款高性能N沟道MOSFET，凭借其卓越的电气特性、优异的温度稳定性以及紧凑的表面贴装设计，成为现代电子设备中不可或缺的核心元件。无论是在高电流驱动还是高功率管理应用中，其性能均有着优秀的表现，为设计工程师提供了一个可靠、低损耗的解决方案。随着电子产品对高效能和小型化的需求不断增加，SIR464DP-T1-GE3无疑将继续发挥其重要作用。