SIR182DP-T1-RE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.132g
描述 :
场效应管(MOSFET) 69.4W 60V 60A 1个N沟道 PowerPAK-SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
4.03按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.03
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100+
￥3.37
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750+
￥3.12
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1500+
￥2.97
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3000+
￥2.83
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SIR182DP-T1-RE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 60A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 3.6V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 2.8mΩ @ 15A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 69.4W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 7.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.8 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.6V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 64nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3250pF @ 30V | 功率耗散（最大值） | 69.4W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SIR182DP-T1-RE3手册
SIR182DP-T1-RE3概述
产品概述：SIR182DP-T1-RE3 N沟道MOSFET
1. 简介
SIR182DP-T1-RE3 是VISHAY（威世）公司推出的一款高性能N沟道MOSFET，具有优异的电流承载能力和导通特性。这款MOSFET特别适合于需要高效率、高功率和高可靠性的电源管理应用。其出色的电气性能使其在工控、汽车电子、消费电子和电源转换等领域得到了广泛应用。
2. 基本参数
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 连续漏极电流（Id @ 25°C）：60A（Tc）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：3.6V @ 250uA
- 漏源导通电阻（Rds On）：2.8mΩ @ 15A, 10V
- 最大功率耗散（Ta=25°C）：69.4W（Tc）
该MOSFET在高电流和高电压的情况下表现出色，能够满足严苛的电气需求，尤其在功率转换和分配场合中表现突出。
3. 典型应用
SIR182DP-T1-RE3适用于多种不同的应用场景，包括但不限于：
- DC-DC转换器：经常用于开关电源（SMPS)以提高转换效率。
- 电机驱动：可作为电机控制电路中的主要开关元件。
- 负载开关：可用于电子设备的开关电源管理。
- 电源管理IC：作为电源调节器的输出驱动MOSFET，提升整体性能。
4. 特性分析
- 高导通电流：连续漏极电流可达到60A，适合高负载的应用环境。
- 低导通电阻：其导通电阻仅为2.8mΩ，这意味着在高负载下也会产生较低的功耗，显著提升系统的效率。
- 广泛的工作温度范围：工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种极端环境，也保证了产品的长期稳定性和可靠性。
- 高耐压能力：漏源电压高达60V，使得SIR182DP-T1-RE3能够应用于高电压的场合，同时保证安全性。
- 表面贴装封装：采用PowerPAK® SO-8封装，既保证了良好的电气性能，也方便在现代电子电路板中进行安装和集成。
5. 驱动要求与栅极特性
SIR182DP-T1-RE3具有明显的栅极驱动特性，其中：
- 最大驱动电压范围为±20V，能够兼容多种控制电路。
- 栅极电荷（Qg）为64nC @ 10V，表明该器件在快速开关应用中能够实现低的控制功耗。
6. 安全性与可靠性
该元器件符合严格的生产标准，保证了其在各种工作条件下的稳定性及安全性。Vishay作为行业内的知名品牌，实施严格的质控流程，确保每一颗出厂的产品都符合标准。
7. 结论
综上所述，SIR182DP-T1-RE3是一款高性能的N沟道MOSFET，结合低导通电阻、高功率能力和广泛的工作温度范围，使其成为电源管理和转换应用的理想选择。凭借Vishay的品牌信誉和优质的产品设计，SIR182DP-T1-RE3必将为电子设计师提供更多的设计灵活性和解决方案。无论在工业还是汽车应用中，这款MOSFET都将大大提升系统性能和可靠性。