SIHP28N60EF-GE3
SIHP28N60EF-GE3参数
| 封装/外壳 | TO-220-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 600V | 栅源电压 Vgss | ±30V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 28A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 123 毫欧 @ 14A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 120nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2714pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 250W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-220AB |
SIHP28N60EF-GE3手册
SIHP28N60EF-GE3概述
SIHP28N60EF-GE3 产品概述
产品名称: SIHP28N60EF-GE3
类型: N通道MOSFET
厂商: VISHAY（威世）
封装类型: TO-220-3
一、产品背景
SIHP28N60EF-GE3是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），旨在满足现代电子应用中对功率管理、高效率和高电压的需求。凭借其优异的电气特性和广泛的工作温度范围，这款MOSFET在电力电子、开关电源、马达驱动以及其他需要高效率和可靠性的应用中被广泛使用。
二、关键参数
漏源极电压（Vdss）: 600V
SIHP28N60EF-GE3支持高达600V的漏源极电压，使其适合用于高压应用，包括工业设备和电力转换器。连续漏极电流（Id）: 28A（Tc = 25°C）
在正常工作条件下，该MOSFET能承受28A的连续漏极电流，提供可靠的电流传输能力，适合高负载条件。栅源电压（Vgss）: ±30V
栅源电压范围为±30V，使得其能够与多种驱动电路兼容，通过适当的栅驱动电压实现精确控制。导通电阻（Rds(on）: 123毫欧 @ 14A, 10V
在10V的栅电压下，只有123毫欧的导通电阻保证了在高电流下的最佳功率损耗表现，降低了发热，并提升了整体效率。功率耗散（Pd）: 250W（Tc ≤ 25°C）
该MOSFET的最大功率耗散为250W，适用于高功率环境，并通过良好的散热设计扩大可能的使用场景。工作温度范围: -55°C ~ 150°C
广泛的工作温度范围保证了该产品可以在极端环境下稳定工作，极大地扩展了其应用范围。输入电容（Ciss）: 2714pF @ 100V
较高的输入电容值对于快速开关及高频应用提供了良好的性能。栅极电荷（Qg）: 120nC @ 10V
低栅极电荷值使得该MOSFET在 switching 应用中响应迅速，有效提高了开关效率。
三、应用领域
SIHP28N60EF-GE3由于其优异的性能特征，可广泛应用于以下领域：
开关电源: 在AC-DC和DC-DC转换器中提供高效的开关性能，帮助设计紧凑且高效的电源系统。
马达驱动: 适用于各种电机控制应用，包括变频器和伺服电机驱动，提供精准的控制和高效的动力传输。
电力电子: 在高功率应用中，能够有效地控制功率流动，广泛应用于电力变换器和能量管理系统。
工业自动化: 在自动化设备中提供可靠的开关设备，支持严苛的工业环境。
四、总结
SIHP28N60EF-GE3是一款高度可靠、具备优异性能的N通道MOSFET，凭借其600V的漏源极电压、28A的连续漏极电流和250W的功率耗散能力，使其在各种高压和高流应用中表现优秀。无论是电源管理、马达驱动还是其他电力电子应用，该MOSFET都为设计师提供了一个有效的解决方案。考虑到其卓越的电气特性、广泛的工作温度范围以及易于集成的封装设计，SIHP28N60EF-GE3无疑是支持现代电子系统性能提升的理想选择。