SIHP12N65E-GE3

SIHP12N65E-GE3 产品概述

概述

SIHP12N65E-GE3 是一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由著名的电子元器件制造商 VISHAY（威世）出品。这款 MOSFET 采用 TO-220-3 封装，具有出色的电气性能和热管理能力，适合用于高压和高功率的电子应用。

关键特性

• 封装类型: TO-220-3，适合通孔（THT）安装，方便散热与安装在实际电路中。
• FET 类型: N 沟道，具有较低的导通电阻，使其在高效能应用中特别受欢迎。
• 漏源极电压（Vdss）: 650V，意味着该 MOSFET 可在高压环境中稳定运行，广泛适用于电源管理、开关电源、和直流转换等应用。
• 连续漏极电流（Id）: 12A（在 25°C 的环境下时），在适当的散热条件下可以进行高电流操作。
• 最大驱动电压（Vgs）: ±30V，提供了灵活的驱动选项，适应多种电路设计需求。
• 导通电阻（Rds(on)）: 最大 380 毫欧（在 10V 驱动下，6A 电流时），此参数表示开关时的损耗低，适合高频开关应用。
• 输入电容（Ciss）: 最大 1224pF（在 100V 时），保证了较快的开关速度。
• 门极电荷（Qg）: 最大 70nC（在 10V 的条件下），有助于降低驱动电路的功耗。
• 功率耗散（Pd）: 最大 156W（在方向管的接合温度下测得），支持高功率的应用场景。
• 工作温度范围: -55°C 至 +150°C，适合各种严苛的环境条件。

应用领域

SIHP12N65E-GE3 是一款多功能的 MOSFET，广泛应用于诸如：

• 开关电源: 提供高效的电源转换，适用于电源适配器和电视机等消费类电子产品。
• 电机驱动: 可用于电动机控制及驱动电路，尤其是在电动车或工业自动化中的应用。
• DC-DC 转换器: 在新能源和便携式设备中，升压或降压应用中表现优秀。
• 逆变器: 应用于可再生能源系统，如太阳能和风能发电。
• 高频开关应用: 由于其低 Rds(on) 值，该 MOSFET 能够以更高的频率运行，适合高效能电路。

结论

总之，SIHP12N65E-GE3 作为一款高压、高效能的 N 沟道 MOSFET，具有优良的电气特性和稳定性，用户可以在各种高功率与高频率应用中放心使用。其出色的散热性能以及广泛的工作温度范围，使其成为工业、商业及消费电子产品中的理想选择。选择 VISHAY 这家知名供货商的 MOSFET，不仅可以获得稳定的性能保证，还能享受到全面的技术支持，因此，这款 MOSFET 是您电子设计中非常值得信赖的组件。