SI9407BDY-T1-GE3
SI9407BDY-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4.7A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 120mΩ @ 3.2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.4W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.7A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 120 毫欧 @ 3.2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 600pF @ 30V | 功率耗散（最大值） | 2.4W（Ta），5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
SI9407BDY-T1-GE3手册
SI9407BDY-T1-GE3概述
SI9407BDY-T1-GE3 产品概述
产品简介
SI9407BDY-T1-GE3 是由 VISHAY（威世）公司制造的一款高性能 P 通道 MOSFET，具备优良的电气特性和可靠性。该器件专为各种高效电源管理应用设计，适用于开关电源、直流-直流转换器、以及线性调节器等电路。其关键参数表现出色，使其成为工程师在电路设计时的理想选择。
技术参数 & 特性
漏源电压 (Vdss): 该 MOSFET 的漏源电压可达 60V，能够满足许多工业和消费电子应用的电压需求。
连续漏极电流 (Id): 此器件在 25°C 环境下的连续漏极电流可达到 4.7A，使其适用于中等电流负载的应用，体现了其在动态条件下的出色性能。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 行业标准的栅源极阈值电压为 3V @ 250µA，足以与许多常用的数字和模拟电路直接连接，降低设计复杂性。
导通电阻 (Rds(on)): 该产品在 10V 驱动电压下、3.2A 的电流条件下，其漏源导通电阻仅为 120mΩ，这极大地降低了能量损耗，提高了开关效率。
栅极电荷 (Qg): 此器件的最大栅极电荷为 22nC @ 10V，表明其在高频应用中具备良好的开关特性，能够更快地响应控制信号，从而提高系统的整体效率。
输入电容 (Ciss): 最大输入电容为 600pF @ 30V，帮助在高频率下减少开关损失，保持出色的开关性能。
功率耗散: 该器件具有 2.4W 的最大功率耗散能力（在环境温度 25°C 下）和 5W 的热阻下功率，能够在高度集成的电路中保持较低的温升。
工作温度范围: SI9407BDY-T1-GE3 能够在 -55°C 至 +150°C 的广泛温度范围内稳定工作，使其在环境苛刻的工业应用中表现出色。
封装及安装
SI9407BDY-T1-GE3 采用 8-SO 封装（0.154", 3.90mm 宽），适合表面贴装（SMD）技术。这种紧凑的封装设计减少了占用的电路板空间，非常适合现代小型化电子产品和高密度 PCB 布局。
应用领域
由于其优越的电气特性，SI9407BDY-T1-GE3 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
电源管理：可以在 DC/DC 转换器、 AC/DC 适配器中承担开关元件角色，提升电源转换效率。
电机驱动：用于电机控制电路，支持快速开关与高效驱动。
消费电子：在智能手机、平板电脑、和其他便携式设备中，优化电池管理和能效。
汽车电子：亦可应用于汽车电源管理系统，满足高能效和高可靠性的需求。
总结
SI9407BDY-T1-GE3 作为 VISHAY 联合开发的高效 MOSFET，凭借其优异的电气性能、耐环境能力和紧凑的封装设计，成为电源管理、开关电源及其他电路应用中不可或缺的元件。其性能的提升帮助工程师在新一代高效能电子产品设计中实现更高的设计灵活性与成本效益，是一种值得信赖的选择。