SI7997DP-T1-GE3

SI7997DP-T1-GE3产品概述

SI7997DP-T1-GE3是VISHAY（威世）公司推出的一款高性能表面贴装型MOSFET阵列，专为功率开关应用而设计。该器件具备两个P沟道MOSFET，具有优异的电气性能和热管理特性，适合在多种高效能电子电路中使用，如电源管理、电机驱动和LED驱动等场景。以下是对该产品的详细描述和参数分析。

1. 基本参数

SI7997DP-T1-GE3的安装类型为表面贴装型，适应于现代电子设备的紧凑设计需求。该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)）最大值为5.5毫欧，当漏极电流Id为20A和栅源电压Vgs为10V时的性能表现非常出色。OEM或ODM设计师可以利用这一特性来降低导通损耗，提高系统的整体效率。

该MOSFET的持续漏极电流Id最大值为60A，这使得它在处理大电流时能够保持稳定。其漏源电压（Vdss）为30V，能够适应较高的电压应用，进一步增强了其适用性。针对电源管理应用，该器件的功率处理能力达到46W，确保其在高负载条件下仍能高效工作。

2. 功能和特性

SI7997DP-T1-GE3是一个标准功能的MOSFET，具备广泛的应用可能性。其在不同栅源电压下的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V（在250μA时测得），这使得它在低栅压驱动条件下也能迅速导通，有利于快速开关控制。

输入电容（Ciss）为6200pF（在15V时测得），对系统开关频率的适应性良好，降低了在高频应用下的开关损耗。此外，最大栅极电荷（Qg）为160nC（在10V时测得），这意味着在开关操作中MOSFET能以较低的输入功耗实现快速切换，符合现代高效能电源管理的需求。

3. 温度范围

该MOSFET的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，这保证了其在极端环境条件下的可靠性，便于用户在各种工业、消费电子和汽车应用中使用。

4. 应用场景

SI7997DP-T1-GE3非常适合用于多种应用场景，包括但不限于：

• 电源管理：在DC-DC转换器、升压和降压电路中，使用该MOSFET可以帮助提高转换效率，降低功耗。
• 电机控制：在电机驱动系统中，该器件的高电流承载能力和快速开关特性可提高电机的工作效率。
• LED驱动：在LED照明系统中，MOSFET可以作为开关元件，确保快速响应和高效控制。

5. 封装与布局

采用PowerPAK® SO-8双封装，SI7997DP-T1-GE3具有良好的散热性能和便捷的布局设计，适合在密集的电路板中使用。相较于传统的封装方式，该封装提供了更低的热阻，加快了热量的散发，进一步提升了MOSFET的可靠性。

结论

总之，SI7997DP-T1-GE3是一款功能强大且灵活应用的P沟道MOSFET阵列，凭借其优越的电性能和广泛的适用性，成为了现代电子电路设计的重要选择。无论是在电源管理、马达控制还是LED驱动中，SI7997DP-T1-GE3都能够为工程师提供出色的性能与可靠性，是推动高效能设计的重要组成部分。