SI7880ADP-T1-E3
SI7880ADP-T1-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 40A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 3mΩ @ 20A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 5.4W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 125nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5600pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 5.4W（Ta），83W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SI7880ADP-T1-E3手册
SI7880ADP-T1-E3概述
SI7880ADP-T1-E3 产品概述
产品简介
SI7880ADP-T1-E3 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，专为高效能电源管理和开关应用而设计，适合各种工业、消费电子和通信设备的需求。此 MOSFET 采用了先进的金属氧化物半导体技术，能够在较低的驱动电压下提供优异的导电性能和高效的电能转换。
基本参数
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：3V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：3mΩ @ 20A, 10V
- 最大功率耗散（Ta=25°C）：5.4W
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 封装类型：PowerPAK® SO-8
电气特性
SI7880ADP-T1-E3 的设计确保了在不同工作条件下的高效能。其漏源电压上限为 30V，能够适应大多数中低压领域的应用。连续的漏极电流在 25°C 时可达 40A，确保其在高负载条件下的稳定性。此外，3mΩ 的漏源导通电阻确保了在开关状态下的能量损失最小化，提高了整体电路的效率。
栅源电压阈值 Vgs(th) 设定为 3V，这意味着在 3V 的栅源电压下，MOSFET 将开始导通，表现出优秀的电流增长特性。特别是在 10V 驱动电压下，器件能够实现最低的漏源导通电阻，从而提升电流通过能力。
功率与热管理
在功率管设计中，热管理是至关重要的。SI7880ADP-T1-E3 的最大功率耗散能力为 5.4W（在环境温度 25°C 下），但在适当的散热条件下，临界温度 Tc 可以高达 83W。这样的功率耗散能力意味着可以在较高的负载下工作，且发热量有效控制，这对于高频率开关电源设计尤为重要。
适用范围
此 MOSFET 广泛应用于电源管理、马达驱动、LED 照明、DC-DC 转换器等多个领域。其优异的热性能和高导电性使其成为开关电源和驱动电路的理想选择。SI7880ADP-T1-E3 特别适用于需要高效率和紧凑设计的现代电子设备中。
封装与安装
SI7880ADP-T1-E3 采用 PowerPAK® SO-8 表面贴装封装，适用于自动化生产线大规模贴装。其紧凑的封装设计不仅节省了 PCB 空间，便于集成到复杂的电路中，还增强了电磁兼容性。由于其优秀的热导性能和散热设计，该封装形式还能够有效降低电路的工作温度。
总结
VISHAY 的 SI7880ADP-T1-E3 N 沟道 MOSFET 以其出色的电气性能、宽广的工作温度范围、高功率耗散能力以及紧凑的封装设计，成为现代电子设计中的一颗“明珠”。其适用于多种高效能应用，能够满足行业内对性能、效率和可靠性的日益严格的要求。无论是在电源、电机驱动，还是在高频开关电路中，SI7880ADP-T1-E3 都能够提供理想的解决方案。