SI7846DP-T1-GE3

SI7846DP-T1-GE3 产品概述

一、基本信息

SI7846DP-T1-GE3 是一款由VISHAY（威世）生产的N沟道MOSFET，具有优异的导通性能与热管理特性。它采用了PowerPAK® SO-8封装，适合于各种需要高效率与小型化设计的应用，广泛应用于电源管理、开关电源转换器、LED驱动电路以及电机驱动等领域。

二、技术规格

1. 封装与类型

   • 封装/外壳：PowerPAK® SO-8
   • 安装类型：表面贴装(SMT)
   • FET 类型：N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）

2. 电气特性

   • 漏源极电压（Vdss）：150V
   • 25°C 时的连续漏极电流（Id）：4A（Ta）
   • Vgs（最大值）：±20V
   • 不同 Id、Vgs 时的导通电阻（Rds(on)）：最大值为50毫欧（@ 5A，10V）
   • 导通电压（阈值电压，Vgs(th)）：最大值为4.5V（@ 250µA）
   • 栅极电荷（Qg）：最大值为36nC（@ 10V）

3. 功率与温度特性

   • 功率耗散（Pd）：最大值为1.9W（Ta）
   • 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）

三、应用场景

SI7846DP-T1-GE3 能够适用于多种应用场合，主要包括：

1. 电源管理： 在开关电源（SMPS）中，MOSFET可用于开关操作，具有低导通电阻，使其能够在高频率下高效运行，减少能量损耗。

2. 电机驱动： MOSFET 可用于控制直流电机、步进电机与无刷电机的功率开关，支持高性能的动态响应与能效管理。

3. LED驱动： 在LED驱动电路中，SI7846DP-T1-GE3 可用于实现高效的电源转换，提升LED照明应用的稳定性与亮度调节能力。

4. 电池管理系统： 作为电池管理系统中的关键元件，用于控制充放电过程中的开关，确保电池的安全与高效使用。

四、产品优势

• 高温工作能力：该MOSFET具备宽广的工作温度范围（-55°C 至 150°C），适合在严苛的环境条件下运行。
• 低导通电阻：优异的导通电阻特性（最大50毫欧）显著降低了能量损失，提升整体电路的能效。
• 小型化设计：采用PowerPAK® SO-8封装，体积小，适合于高密度布线的电路板设计。
• 出色的散热特性：1.9W的功率耗散能力保证了MOSFET在高负载情况下的可靠性。

五、总结

SI7846DP-T1-GE3 是一款高性能的N沟道MOSFET，结合了低导通电阻、高温工作能力及小体积封装，适合用于多种高效电源管理方案及功率转换应用。凭借其优异的电气与热性能，这款MOSFET将极大地推动现代电子设计的发展，为高效能与高可靠性的电路提供强有力的支持。