SI7252DP-T1-GE3

产品概述：SI7252DP-T1-GE3

一、产品简介 SI7252DP-T1-GE3是一款高性能的N-通道MOSFET阵列，被广泛应用于电源管理、开关电路以及驱动组件等领域。该器件采用了表面贴装型的封装形式（PowerPAK® SO-8双），具有出色的热性能和电气特性，适用于需要高效率和高性能的电子设备。

二、关键规格

• 工作电压和电流： SI7252DP-T1-GE3具有最大漏源电压（Vdss）为100V，能够支持高达36.7A的连续漏极电流（Id），使其能够在高负载情况下稳定运行。此外，这款MOSFET的额定功率达到46W，提供了充足的功率处理能力，适合多种严苛环境下的应用需求。
• 导通电阻和门电压特性： 在不同的门电压（Vgs）下，该MOSFET的最大导通电阻为18mΩ（在15A和10V的条件下），显著降低了导通损耗，提高了整体能效。其阈值电压（Vgs(th)）最大为3.5V（@250µA），使器件能够快速响应开关操作，确保了较好的开关效率。
• 输入电容和栅极电荷： 当源-漏电压为50V时，最大输入电容（Ciss）仅为1170pF，保证了高频操作性能。此外，栅极电荷（Qg）在10V时最大为27nC，这一特性有助于在驱动电路中降低开关损耗。

三、工作温度范围 SI7252DP-T1-GE3的工作温度范围为-55°C至150°C，适合于高温应用和严酷环境，如汽车电子、工业控制、消费电子等场景中的稳定性要求。

四、应用场景 由于其优异的电气特性和宽广的工作温度范围，SI7252DP-T1-GE3可广泛应用于以下领域：

1. 电源管理： 适用于高效DC-DC转换器、电池管理系统等，能够有效提升能量转换效率。
2. 开关电路： 适合用于开关电源、马达驱动以及逆变器，能够实现高效的隔离和控制。
3. 汽车电子： 该元器件能够用于汽车中的电动座椅、灯光控制和其它电气系统，提供了可靠的功率开关解决方案。
4. 工业设备： 在工控领域，该MOSFET能够用于各种电机和控制系统中，确保设备的高可靠性和高效率。

五、封装特性 SI7252DP-T1-GE3采用了PowerPAK® SO-8双封装，具有较小的体积和优良的散热性能。该封装设计优化了电流路径，减少了导线电感，从而降低了开关损耗。其表面贴装特性也使得该器件在自动化生产中能够实现高效便捷的安装。

六、总结 总的来说，SI7252DP-T1-GE3作为一款高性能的双N-通道MOSFET，凭借其高电流容量、低导通电阻、广泛的工作温度范围以及优秀的电气特性，成为现代高效率电源设计的重要选择。无论是在电源管理、电动汽车还是工业应用中，SI7252DP-T1-GE3都能提供卓越的性能支持，为设备的高效运行奠定了基础。选择SI7252DP-T1-GE3，您将引领未来电子技术的发展方向。