SI7149ADP-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® SO-8
包装 :
编带
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 5W；48W 30V 50A 1个P沟道 SO-8
库存 :
33567(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
2.9按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.9
--
100+
￥2.33
--
750+
￥2.08
--
1500+
￥1.95
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI7149ADP-T1-GE3参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.2 毫欧 @ 15A，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） | FET 类型 | P 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5125pF @ 15V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 135nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 功率耗散（最大值） | 5W（Ta），48W（Tc） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
SI7149ADP-T1-GE3手册
SI7149ADP-T1-GE3概述
产品概述：SI7149ADP-T1-GE3 P沟道MOSFET
SI7149ADP-T1-GE3是VISHAY（威世）公司推出的一款高性能P沟道MOSFET，采用表面贴装型的PowerPAK® SO-8封装，适用于各种高功率电子应用。它的设计充分考虑了降低导通电阻和提高功率处理能力，能够有效满足高电流和高电压的需求。
基本参数
SI7149ADP-T1-GE3的核心参数包括：
- 导通电阻（Rds On）：在15A电流及10V的栅源电压下，其最大导通电阻仅为5.2毫欧。这一低导通电阻特性使其在工作时能有效减少损耗，提升整体效率。
- 驱动电压：本产品支持4.5V和10V的驱动电压范围，确保它能在多种电压环境下稳定工作，并兼容多个系统设计。
- 连续漏极电流（Id）：在60°C的环境温度下，SI7149ADP-T1-GE3可以提供高达50A的连续漏极电流（Tc），使其能够支持高电流负载应用。
- 漏源电压（Vdss）：其最大漏源电压为30V，适合于较低电压的开关应用，广泛应用于电源管理、直流-直流转换等领域。
- 功率耗散：该器件的最大功率耗散为5W（环境温度），在适当的冷却条件下（Tc），可达到48W，这为其高负载应用提供了更大的灵活性。
- 工作温度范围：SI7149ADP-T1-GE3的工作温度范围为-55°C到150°C，这种宽广的温度特性使其适合于各种工业和汽车电子环境。
电气特性
- 输入电容（Ciss）：在15V的电压下，输入电容的最大值为5125pF，这在高频开关应用中非常重要，能够有效提高开关效率并降低开关损耗。
- 栅极电荷（Qg）：栅极电荷在10V时为135nC，低栅极电荷特性提高了开关速度并减少了驱动功耗，适用于快速开关电路。
- 阈值电压（Vgs(th)）：不同Id情况下的最大阈值电压为2.5V（在250µA下测量），这意味着该MOSFET在较低的栅源电压下便能有效控制导通状态。
应用场景
SI7149ADP-T1-GE3的高导通能力和低开关损耗使其在以下应用中非常受欢迎：
- 电源管理：用于DC-DC转换器，提升转换效率，节省能源。
- 电机驱动控制：在电机驱动电路中，该MOSFET可以实现高效的开关控制，适合电动工具、电动车辆等应用。
- 负载开关：适合用于电池供电设备中的负载切换，能够有效管理电能分配。
- 消费电子设备：广泛应用于各种消费类电子产品，确保高效的电源管理和操作效果。
结论
SI7149ADP-T1-GE3是一个卓越的P沟道MOSFET，凭借其优越的电气性能和宽广的工作温度范围，能够满足现代电子产品对高效率和高可靠性的需求。无论是在电源管理、电机控制，还是消费电子设备中，它都能展现出优异的表现，帮助设计师实现高效节能的设计目标。这使得SI7149ADP-T1-GE3在激烈的市场竞争中脱颖而出，成为众多电子设计工程师的首选组件之一。