SI7115DN-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® 1212-8
包装 :
编带
重量 :
0.175g
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.7W；52W 150V 8.9A 1个P沟道 PowerPAK1212-8
库存 :
7921(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
3.25按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.25
--
100+
￥2.61
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750+
￥2.33
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1500+
￥2.19
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3000+
￥2.09
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI7115DN-T1-GE3参数
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 8.9A(Tc) | 漏源电压（Vdss） | 150V |
| 漏源导通电阻 | 295mΩ @ 4A,10V | 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3.7W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.9A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 295 毫欧 @ 4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 42nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1190pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 3.7W（Ta），52W（Tc） |
| 工作温度 | -50°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
SI7115DN-T1-GE3手册
SI7115DN-T1-GE3概述
产品概述：SI7115DN-T1-GE3
SI7115DN-T1-GE3 是一款高性能 P 型通道 MOSFET，专为需要高效率和高功率处理的应用而设计。该器件由知名品牌 VISHAY（威世）制造，其独特的 PowerPAK® 1212-8 封装技术使其在散热性能和电气特性方面均表现出色。本文将对该 MOSFET 的关键参数、技术特点及应用场景进行详细介绍。
关键参数
漏极电流（Id）：
- 在 25°C 时，该器件的最大连续漏极电流可达 8.9A（在热冷却条件下 Tc）。这一高电流能力使其适用于需要较大功率的负载驱动应用。
漏源电压（Vdss）：
- SI7115DN-T1-GE3 的漏源电压最大可达 150V，确保了在高电压环境下的安全和稳定运行。这使得该器件适合用于电源管理、电机驱动和高压负载控制等应用。
导通电阻（Rds(on）：
- 在 4A 和 10V 的条件下，导通电阻仅为 295mΩ，这意味着在工作时的功耗和热量产生较低，从而提高了整体能效。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）：
- 栅源阈值电压大约为 4V（在 250µA 时测得），这一特性可确保 MOSFET 在较低的栅源电压下迅速导通，适用于快速开关应用。
功率耗散：
- SI7115DN-T1-GE3 在环境温度为 25°C 时的最大功率耗散为 3.7W，而在 Tc（芯片温度）情况下可达 52W。这使得该器件在适当的散热条件下能够高效运行。
工作温度范围：
- 该 MOSFET 的工作温度范围为 -50°C 至 150°C（TJ），使其适应各种严苛的工作环境，广泛应用于工业和汽车电子设备中。
封装与安装：
- SI7115DN-T1-GE3 采用 PowerPAK® 1212-8 表面贴装封装，具有良好的热管理性能和小型化设计，便于集成于现代电路板中。
设计与应用
SI7115DN-T1-GE3 以其高效能和优良的热性能，适合多个应用领域。具体应用包括：
- 电源管理：在开关电源和DC-DC转换器中，MOSFET 可用作开关元件，以提高工作效率和降低干扰。
- 电机控制：在电动机驱动中，作为负载开关有效控制电机的启停和调速，提升控制的精确度。
- 自动化设备：用于各种传感器和执行器的驱动电路，提供高可靠性与高效率的解决方案。
- 汽车应用：在汽车电子中，如电池管理系统、电动助力转向中，SI7115DN-T1-GE3 可实现高效的电源控制和管理。
总结
VISHAY SI7115DN-T1-GE3 是一款高性能 P 通道 MOSFET，兼具高电流承载能力和低导通电阻优势，适合绝大多数工业和商业应用需求。其广泛的工作温度范围、卓越的功率损耗管理和出色的封装设计，使其成为各种电源管理和负载控制应用的理想选择。对于需要高效率和可靠性的设计工程师而言，这款 MOSFET 是一项值得信赖的选择。