SI7114DN-T1-E3
SI7114DN-T1-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 11.7A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 7.5mΩ @ 18.3A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.5W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11.7A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 毫欧 @ 18.3A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
SI7114DN-T1-E3手册
SI7114DN-T1-E3概述
产品概述：SI7114DN-T1-E3 N沟道MOSFET
产品简介
SI7114DN-T1-E3 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由VISHAY（威世）公司制造。该器件设计用于高效率开关应用，适用于多种电子电路设计，包括DC-DC转换器、功率管理和高速开关电路。它具有优良的导电性能和散热能力，能够满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。
关键参数
- 漏源电压 (Vdss): 30V
- 连续漏极电流 (Id) (25°C 时): 11.7A
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 3V @ 250μA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 7.5mΩ @ 18.3A, 10V
- 最大功率耗散: 1.5W (Ta = 25°C)
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: PowerPAK® 1212-8
电气特性
SI7114DN-T1-E3 的漏源电压（Vdss）为30V，使其适合于较高电压的应用场合。具体来说，其连续漏极电流（Id）在25°C时可达到11.7A，展现出出色的载流能力。这些电气特性让该MOSFET在需要高电流和电压的电子设备中表现出色。
栅源极阈值电压为3V，意味着在该电压下MOSFET开始导电。导通电阻（Rds(on)）在18.3A和10V下为7.5mΩ，显示出该器件在导通状态下的低损耗特性，这对降低整体功率损失至关重要。
热管理
该器件的最大功率耗散为1.5W（在环境温度25°C下），这使得它能够在不影响性能的情况下有效地散热。更广泛的工作温度范围（-55°C至150°C）增加了其在极端环境条件下的可靠性和应用灵活性。
应用领域
SI7114DN-T1-E3广泛应用于以下领域：
- DC-DC转换器：用于高效的电压转换，尤其是在便携式设备和电源模块中。
- 电机驱动：在交流或直流电机控制系统中，以实现高效调速。
- 功率管理电路：在各种电源管理方案中，尤其是电池供电设备的功率转换和调节。
- 开关电源：在开关电源中作为开关元件，实现高效率的功率转换。
封装与安装
SI7114DN-T1-E3采用表面贴装型封装（PowerPAK® 1212-8），旨在减少电路板上的空间占用，并提高集成度。其紧凑的设计使得更适合于现代小型化电子产品，满足快速发展的市场需求。
结论
总的来说，VISHAY的SI7114DN-T1-E3 MOSFET不仅在各项性能指标上表现优异，而且通过其坚固的设计和良好的散热能力，为高功率应用提供了可靠解决方案。其宽广的应用范围和出色的电气特性，使其成为电子工程师在设计高效能、高可靠性的电子设备时的理想选择。无论是在电源管理还是高效开关领域，SI7114DN-T1-E3都将是一个值得信赖的元器件。