SI7108DN-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® 1212-8
包装 :
编带
重量 :
0.066g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.5W 20V 14A 1个N沟道 PowerPAK1212-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
0.637按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.637
--
200+
￥0.411
--
1500+
￥0.357
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI7108DN-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 14A |
| 栅源极阈值电压 | 2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 4.9mΩ @ 22A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.5W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.9 毫欧 @ 22A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 30nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±16V |
| 功率耗散（最大值） | 1.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
SI7108DN-T1-GE3手册
SI7108DN-T1-GE3概述
SI7108DN-T1-GE3 产品概述
概述
SI7108DN-T1-GE3 是一款高性能的 N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由著名半导体制造商VISHAY（威世）生产。该器件主要用于开关和线性应用，凭借其出色的性能参数，常被广泛应用于电源管理、功率转换、马达控制等领域。
主要特性
- 漏源电压（Vdss）: 最大可达 20V。这使得 SI7108DN-T1-GE3 能够在低压应用中稳定工作，适合电池供电的设备和其他低电压环境。
- 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 环境下连续可以承受高达 14A 的电流，满足高负载条件下的需求。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 其典型值为 2V @ 250µA，这意味着在较低栅压下就能保持良好的导通性能，显著提高开关效率。
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 的栅压下，导通电阻仅为 4.9mΩ @ 22A，极低的导通电阻可有效降低功耗，并提高整体效率。
额外参数
- 驱动电压: 在 4.5V 和 10V 的栅压条件下，SI7108DN-T1-GE3 能够实现最大的导通电流，适合用于不同的驱动电路。
- 栅极电荷 (Qg): 典型值为 30nC @ 4.5V，较小的栅极电荷有助于减少驱动电路的功耗，优化开关频率表现。
- 工作温度范围: 该器件可以在 -55°C 到 150°C 的广泛温度范围内稳定工作，适应各种苛刻的环境条件。
功率耗散
- 最大功率耗散: 在环境温度为 25°C 时，器件的最大功率耗散为 1.5W，能够应对大多数常见的功率转换应用。
封装与安装
- 封装类型: SI7108DN-T1-GE3 采用 PowerPAK® 1212-8 封装，这是一种表面贴装型封装设计，便于在现代电路板中集成使用。
- 适应能力: 由于其紧凑的封装尺寸，适用于高密度的电路板设计，尤其在空间受限的应用场合，能够有效提高产品的紧凑性和集成度。
应用场景
SI7108DN-T1-GE3 被广泛采用于以下应用领域：
- 电源管理: 用于开关电源、直流-直流转换器（DC-DC）和其他功率转换设备。
- 马达驱动: 在电动机控制系统中用作开关元件，以高效驱动电机。
- 消费电子: 可应用于移动设备、智能家居控制器等低功耗设备，提供稳定的电源管理方案。
- 汽车电子: 在车辆的电源管理和功率分配系统中，支持较高的温度范围和可靠性。
总结
综上所述，SI7108DN-T1-GE3 是一款高效、可靠的 N沟道 MOSFET，结合了出色的电气特性和良好的热管理能力，适应了现代电子产品对性能和效率的高要求。无论是对于工程师还是产品设计师而言，其卓越的参数和广泛的应用前景，使其成为理想的电子元器件选择。