SI4936CDY-T1-E3

SI4936CDY-T1-E3 产品概述

概述

SI4936CDY-T1-E3 是由 VISHAY（威世）公司推出的一款高性能双N沟道场效应管（MOSFET），采用8-SOIC封装。这款MOSFET的设计旨在满足现代电子电路对高效能和小型化的需求，特别适用于各种低电压、高电流应用，如功率管理、开关电源和负载开关等领域。

主要参数

1. 类型与结构：

   • FET类型：双N沟道，能够在不同情况下进行高效的功率控制，支持并联设计，有助于提升整体电路的功率密度。

2. 电气特性：

   • 漏源极电压（Vdss）：30V，适用于大部分低至中等电压应用，非常适合使用在需要稳定性和安全性的电气环境中。
   • 连续漏极电流（Id）：5.8A，意味着在合适的条件下，这款MOSFET能够承载高达5.8安培的电流，有效满足高负载条件下的需求。

3. 导通电阻：

   • 最大值为40毫欧（@ 5A，10V），低导通电阻有助于减少开关损耗，提高整体系统的效率。这使得SI4936CDY-T1-E3在高频率或高负载场景中表现尤为突出。

4. 阈值电压（Vgs(th)）：

   • 最大值为3V（@ 250µA），其优良的开关特性确保了MOSFET在低电压条件下便可以顺利导通，提高了电路的灵活性。

5. 输入电容：

   • 最大值为325pF（@ 15V），在高频应用中，输入电容的优化设计使得MOSFET拥有较快的切换速度，从而适合用于高频开关电源。

6. 栅极电荷（Qg）：

   • 最大值为9nC（@ 10V），较低的栅极电荷使得其驱动电路的设计更加简便，同时在高频开关操作中提升了效率。

7. 功率损耗：

   • 最大功率额定值为2.3W，这意味着在合理的散热条件下，SI4936CDY-T1-E3能够有效处理一定的功率，避免过热对元件的损害。

8. 工作温度范围：

   • 工作温度介于-55°C至150°C，适应于从消费电子到工业应用的各种环境，其出色的热稳定性使得其在高温环境中也能够长时间可靠工作。

封装与安装

SI4936CDY-T1-E3采用8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）封装，表面贴装（SMT），适合现代电子设备中日益紧凑的布局设计，简化了安装流程，同时降低了生产成本。其封装设计能够提供优良的热传导性能，确保在高功率条件下的稳定运行。

应用领域

由于其卓越的性能，SI4936CDY-T1-E3广泛应用于多个领域，包括但不限于：

• 开关电源：如DC-DC转换器、电池管理系统。
• 负载开关：用于电机驱动，灯光控制等。
• 功率管理：在高频RF应用中，作为信号开关。
• 消费电子产品：如笔记本电脑、平板电脑以及其他便携式设备。

结论

SI4936CDY-T1-E3是一个集高性能与小型化于一体的双N沟道MOSFET，凭借其低导通电阻、高连续电流和广泛的工作温度范围，在现代电子电路设计中发挥着重要的作用。无论是在工业应用还是消费电子领域，其出色的电气性能和热管理能力都使得它成为了一个理想的选择。其卓越的特性为设计师提供了更大的灵活性和创新空间，是提升电子产品效率与可靠性的强大工具。