SI4914BDY-T1-E3
SI4914BDY-T1-E3参数
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） | FET类型 | 2个N通道（半桥） |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
| FET 类型 | 2 个 N 通道（半桥） | FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.4A，8A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 21 毫欧 @ 8A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10.5nC @ 4.5V | 功率 - 最大值 | 2.7W，3.1W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | 8-SO |
SI4914BDY-T1-E3手册
SI4914BDY-T1-E3概述
SI4914BDY-T1-E3 产品概述
概述
SI4914BDY-T1-E3 是一款由威世（VISHAY）公司制造的高性能N通道功率场效应晶体管（FET），采用8-SOIC封装，专为各种高功率和高频应用而设计。凭借其出色的电气特性和广泛的工作温度范围，SI4914BDY-T1-E3 适用于电源管理、马达驱动以及其他高效率开关应用。
主要特性
封装类型: 该器件使用8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）表面贴装封装，适合各种表面贴装电路板（PCB）的应用，使其在空间受限的设计中更具优势。
FET类型: 产品采用2个N通道半桥设计，能够在同一芯片上实现双向开关功能，适合用于全桥或半桥驱动电路。
漏源极电压（Vdss）: SI4914BDY-T1-E3 的漏源极电压为30V，能够适应常见的工业和消费电子应用场合，对于需要较低电压的驱动环境非常理想。
连续漏极电流（Id）: 在25°C时，该器件的最大连续漏极电流分别为8.4A和8A，能够承载较大的电流，适合处理高负载需求。
导通电阻: 在8A、10V的条件下，最大导通电阻达21毫欧，这一特性确保了器件在高负载下的高效能和较低的能量损耗，使其在高频开关应用中表现优异。
栅极阈值电压（Vgs(th)）: 在250μA的测试条件下，最大栅极阈值电压为2.7V，此特性使得该器件在低电压驱动情况下仍能正常工作，提供了更大的灵活性。
栅极电荷（Qg）: 在4.5V的驱动电压下，最大栅极电荷为10.5nC。这一指标直接影响开关速度，较低的栅极电荷使得SI4914BDY-T1-E3在高频应用中能够快速开关，降低开关损耗。
功率消耗: 该器件的最大功率消耗为2.7W至3.1W，能够在高负载条件下保持稳定工作，满足苛刻环境要求。
工作温度范围: SI4914BDY-T1-E3 的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于极端环境条件的应用。这意味着该器件不仅适合便携式设备，也可用于汽车及工业应用中的高温或低温环境。
应用场景
SI4914BDY-T1-E3 特别适合用于以下应用场景：
电源管理: 在开关电源、DC-DC转换器以及逆变器中，利用其高效率和可靠性来改善能量利用效率。
马达驱动: 对于步进电机、直流电机和伺服电机等多种类型的电机，SI4914BDY-T1-E3 提供了理想的驱动解决方案，确保高效运动控制。
消费者电子: 在各种个人电子设备，如便携式音响、计算机和家用电器中，作为开关元件进行电源切换。
汽车电子: 能够在恶劣环境下稳定工作，这使得SI4914BDY-T1-E3 适合用于汽车的动力系统、车载充电器及其他高功率应用。
结论
总体而言，SI4914BDY-T1-E3 是一款多功能、高效能的半桥N通道FET，凭借其卓越的电气性能和适应性，广泛应用于各类电源管理和驱动控制的设计中。对于寻求提高系统能效并降低功率损耗的工程师而言，它无疑是一个值得推荐的选择。