SI4684DY-T1-E3
SI4684DY-T1-E3参数
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.4 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 45nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2080pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），4.45W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
SI4684DY-T1-E3手册
SI4684DY-T1-E3概述
SI4684DY-T1-E3 产品概述
1. 产品简介
SI4684DY-T1-E3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，封装为 8-SOIC（0.154 英寸，即 3.90 mm 宽），由知名半导体制造商 VISHAY（威世）研发。该器件设计用于高效的电源管理与开关应用，展示出极低的导通电阻及高电流承载能力，非常适合用在各种电子控制系统中。
2. 核心参数
- 漏源极电压（Vdss）: 该 MOSFET 能够承受高达 30V 的漏源电压，这使得其在多种供电和开关电路中更具有灵活性。
- 电流能力（Id）: 在 25°C 环境温度下，连通漏极电流可达 16A，这意味着在正常操作条件下能够提供显著的电流支持，适合大功率应用。
- 导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 的栅极电压下，导通电阻最大仅为 9.4 毫欧，这有效减少了在运行过程中的功率损耗，提高了系统的能效。
3. 驱动与控制特性
SI4684DY-T1-E3 支持多种栅极驱动电压级别。其在 4.5V 和 10V 的驱动下提供稳定的工作状态，并具有良好的开关性能。该器件的栅极阈值电压（Vgs(th)）为最大 1.5V（@ 250µA），显示出良好的低压开关控制特性，这使得其在低电压驱动模式下也能有效启动和停止。
4. 输入和输出特性
在不同的 Vgs 条件下，输入电容 (Ciss) 最大值为 2080pF（@ 15V），这为高频操作提供了极佳的响应特性。栅极电荷（Qg）值最大为 45nC（@ 10V），意味着该器件在快速开关过程中所需的栅极驱动能量相对较小，有助于降低驱动电路的负担。
5. 热管理与功率性能
该 MOSFET 的功率耗散能力在不同环境下表现出色，最大功率耗散为 2.5W（@ Ta）和 4.45W（@ Tc）。同时，工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，确保其在极端环境下的稳定性与可靠性，在汽车、工业控制及消费电子等多种需求苛刻的环境中均可放心使用。
6. 应用场景
SI4684DY-T1-E3 MOSFET 适用于各种应用，包括但不限于：
- 电源管理系统，如 DC-DC 转换器和电源适配器
- 开关电源
- 电机控制和驱动应用
- 安全系统中的负载控制
- 汽车电子中的高效开关控制等
7. 结论
SI4684DY-T1-E3 作为一款高效、低功耗的 N 通道 MOSFET，为电子设计工程师提供了一个强大的选择。其优异的导通电阻、较高的电流承载能力、良好的开关性能以及宽广的工作温度范围，使其在各类电子应用中都表现出色。选择 SI4684DY-T1-E3，将为您的设计带来更高的效率以及更可靠的性能。