注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
SI4410BDY-T1-E3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
8-SO
包装 :
编带
重量 :
0.344g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 7.5A 1个N沟道 SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.4按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.4
--
100+
￥2.62
--
1250+
￥2.27
--
2500+
￥2.15
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
SI4410BDY-T1-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 7.5A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 13.5mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.4W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.5A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 13.5 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20nC @ 5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.4W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
SI4410BDY-T1-E3手册
SI4410BDY-T1-E3概述
产品概述：SI4410BDY-T1-E3 N通道MOSFET
一、基本信息
SI4410BDY-T1-E3是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由著名的电子元器件制造商VISHAY（威世）生产。该器件以其优秀的电气性能和高可靠性，在各类电子应用中广泛使用，尤其适合DC-DC转换器、电池管理、电源开关和驱动电路等领域。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）: 30V
- 本器件适合用于较高电压环境中的开关应用，能承受的最大漏源电压为30V，使其能够适应许多工业应用的需求。
连续漏极电流（Id）: 7.5A（在25°C时）
- 该MOSFET在环境温度25°C下，能够提供高达7.5A的连续漏极电流，确保在负载较高时也能保持稳定的性能。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 3V @ 250µA
- 该器件的栅极开启电压为3V，能有效驱动多种逻辑电平的电路，适合低电压控制场合。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 13.5mΩ @ 10A, 10V
- 动态导通电阻低，能够减少导通损耗，提高电能的转化效率，极大提升系统的整体能效。
最大功率耗散: 1.4W（在Ta=25°C时）
- 适合在温度控制良好的系统中使用，保持优良的散热性能，避免过热影响元器件的稳定性。
工作温度范围: -55°C至150°C（TJ）
- 可在极端温度下工作，提供了广泛的应用灵活性，尤其在工业、汽车等恶劣环境下的可靠性。
栅极电荷（Qg）: 20nC @ 5V
- 低栅极电荷意味着更快的开关速度，能够减少开关延迟，提高整个电路的效率。
封装类型: 8-SOIC
- 表面贴装型SOIC封装，提供小尺寸和良好的引脚布局，适合自动化生产线的高密度安装需求。
三、应用领域
SI4410BDY-T1-E3可以广泛应用于以下领域：
- 电源管理：适用于AC/DC转化和DC/DC变换器中，帮助提升电源工作的效率。
- 电池管理系统：在电池充放电过程中，可以提供优化的开关控制。
- 电机驱动：能够有效控制电机的启动、调速和关闭，改善动力传输的效果。
- 消费电子：用于电源开关、LED驱动以及各种便携式设备中。
四、总结
SI4410BDY-T1-E3是一款性能优良、可靠性高的N沟道MOSFET，凭借其适中的工作电压和电流等级，出色的导通电阻，广泛的工作温度范围，以及紧凑的SOIC封装，成为许多电源和控制电路中不可或缺的基础元件。无论是在消费电子还是工业应用中，该MOSFET都具备无与伦比的应用灵活性，适合多样化的设计需求。VISHAY品牌的质量保证也为其在市场上的认可度和可信赖性增加了许多分数，是现代电子设计中理想的选择。