SI4166DY-T1-GE3
SI4166DY-T1-GE3参数
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30.5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.9 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 65nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2730pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 3W（Ta），6.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | 8-SO |
SI4166DY-T1-GE3手册
SI4166DY-T1-GE3概述
SI4166DY-T1-GE3 产品概述
引言
SI4166DY-T1-GE3是VISHAY（威世）推出的一款高性能N沟道MOSFET，采用8-SOIC（0.154"宽、3.90mm）封装。该产品在各种电子应用中表现出色，尤其适用于需要高电流和快速开关特性的场合，例如DC-DC转换器、电源管理和驱动电路。
基本特性
封装与尺寸
SI4166DY-T1-GE3采用8-SOIC封装，这种紧凑型封装使得元件占用空间小，适合于高密度的电路板布局。与其小巧的外形设计相结合，它依然可以提供卓越的电气性能和热管理。电压与电流规格
本MOSFET的漏源极电压（Vdss）达到30V，可以满足大多数中低压应用的需要。该器件的持续漏极电流（Id）在25°C条件下可达30.5A，这个高电流能力使得它在高负载条件下仍能稳定工作。导通电阻
SI4166DY-T1-GE3在10V的栅源电压 (Vgs) 和15A的漏极电流 (Id) 下，其导通电阻 (Rds(on)) 最大值为3.9毫欧。这一低导通电阻值能够有效提高电路的能效和降低功耗，从而使得整机的热量生成减少，有助于系统的整体散热设计。栅极阈值电压
本器件在250µA的电流下，其栅极阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为2.4V，这意味着其在相对较小的栅电压下就可以开始导通，对于省电型设计尤为重要。栅极电荷特性
设备在10V的栅源电压下，其栅极电荷 (Qg) 最大值为65nC，表明该器件能够快速响应控制信号，对于高频开关应用尤为合适。输入电容
在15V的漏源电压下，输入电容 (Ciss) 的最大值为2730pF。这一指标在高频条件下显得尤为关键，可以降低开关损耗，提高工作效率。
功率耗散与温度特性
SI4166DY-T1-GE3的功率耗散分为两种情况：在环境温度下（Ta），其最大功率耗散为3W，而在结温（Tc）条件下则达到6.5W。这一特性使得该器件在散热设计中具有良好的灵活性，能够活跃于恶劣的工作环境。
此外，其工作温度范围从-55°C到150°C，确保了SI4166DY-T1-GE3能够在广泛的温度条件下正常工作，适应各种应用场景，包括高温电子仪器和恶劣环境设备。
应用领域
凭借其杰出的电气性能，SI4166DY-T1-GE3尤其适用于以下领域：
开关电源
SI4166DY-T1-GE3可广泛应用于DC-DC变换器、AC-DC电源等各种开关电源设计中，提供高效的电力转换。电机驱动
该MOSFET在电机驱动应用中表现出色，配合PWM控制可以实现高效、平稳的电机驱动效果。便携式设备
在便携式设备的电源管理中，低导通电阻和小尺寸封装使得它非常适合用于有限空间内的高效电源解决方案。LED驱动器 适合于LED照明驱动电路，能够保证LED的正常亮度和延长使用寿命。
结论
SI4166DY-T1-GE3是VISHAY提供的一款性能卓越、适用范围广泛的N沟道MOSFET，凭借其低导通电阻、高电流能力、优秀的散热性能，使其在现代电子设计中成为了理想选择。无论是在电源管理还是电机驱动等应用中，SI4166DY-T1-GE3都展现了良好的工作稳定性和可靠性。