注：图像仅供参考，请参阅产品规格
SI3552DV-T1-E3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
6-TSOP
包装 :
编带
重量 :
0.024g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.15W 30V 2.5A 1个N沟道+1个P沟道 TSOP-6-1.5mm
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
1.93按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.93
--
100+
￥1.55
--
750+
￥1.38
--
1500+
￥1.31
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI3552DV-T1-E3参数
| FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 105 毫欧 @ 2.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA（最小） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.2nC @ 5V | 功率 - 最大值 | 1.15W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 供应商器件封装 | 6-TSOP |
SI3552DV-T1-E3手册
无数据
SI3552DV-T1-E3概述
SI3552DV-T1-E3 是由Vishay（威世）生产的一款高性能场效应管（MOSFET），装配于紧凑的6-TSOP封装中。这款器件结合了N沟道和P沟道MOSFET的优点，广泛应用于各种电子与电气设备中，适用于逻辑电平门的开关控制。
产品特点
多功能性： SI3552DV-T1-E3 具备一个N沟道和一个P沟道的配置，使其能够在多种电路设计中承担不同的功能。例如，在电源开关、信号开关及功率管理等应用中均能高效运作，极大地提高设计的灵活性。
电气性能：
- 漏源电压（Vdss）：该器件能够承受高达30V的漏源电压，确保在高压条件下的不间断操作。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C的环境温度下，SI3552DV-T1-E3的最大连续漏极电流为2.5A，能够满足多种电流需求的应用场合。
- 导通电阻：该器件在2.5A和10V的条件下，其最大导通电阻为105毫欧，能够降低功率损耗，提高系统的整体效率。
开关特性：
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：SI3552DV-T1-E3的栅极阈值电压最大为1V（以250µA为基准），这意味着在较低的栅电压下就能实现稳定的导通状态，适应现代低电压逻辑电路。
- 栅极电荷（Qg）：对于5V的栅源电压，其最大栅极电荷为3.2nC，这一特性使得器件在开关速度上表现出色，适合高频率的开关应用。
功率和温度范围： 这款MOSFET的最大功率为1.15W，能够在各种工作条件下正常运作。此外，其工作温度范围为-55°C到150°C，使其在极端环境下也能保持稳定性能，这一点尤其适合高温或低温的工业应用。
表面贴装类型： 采用6-TSOP封装，体积小巧、重量轻，适合现代电子设备对空间和重量的苛刻要求。表面贴装的设计也使得生产效率提高，便于自动化装配。
应用场景
SI3552DV-T1-E3广泛应用于电源管理、开关电源、照明控制及各种信号控制电路中。同时，因其具备高可靠性与耐高温的特点，也理想用于汽车电子、工业控制设备及消费电子产品。这款MOSFET特别适合于需要高频率转换和低开关损耗的设计需求，使其在现代电子元件中的应用价值不言而喻。
总结
Vishay的SI3552DV-T1-E3是一款性能卓越、功能多样的场效应管，凭借其出色的电气参数和宽广的工作条件，确保其在多种电子应用中的稳定性和可靠性。无论是在消费电子、工业自动化，还是汽车电子领域，这款MOSFET都能够为设计工程师提供出色的解决方案，值得广泛采用。